半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
半導体量子井戸中のサブバンド間遷移(Intersubband transition:ISBT)は、ある一定以上のTM(Transverse Magnetic)偏波パルス信号に対して吸収飽和を示しサブバンド間のキャリアの緩和時間が1ps以下と短いことから、超高速光スイッチとして注目されている。今回、この超高速な吸収飽和の性質に着目し、ISBT素子をモードロッカーとして受動モード同期ファイバレーザに初めて適用した。共振器内の分散を最適設計した結果、パルス幅88fs、繰り返し周波数42MHzの安定なソリトンパルスの発生に成功したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-08-13
著者
-
石川 浩
独立行政法人産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
正田 史生
東北大学電気通信研究所
-
中沢 正隆
東北大学電気通信研究所
-
秋本 良一
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
石川 浩
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
秋本 良一
(独)産業技術総合研究所
-
石川 浩
(独)産業技術総合研究所
-
秋本 良一
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
-
石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
-
秋本 良一
産業技術総合研究所
関連論文
- 半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.ネットワークトラヒックと電力消費の動向(グリーンICTに向けた光ネットワーク技術)
- 光ネットワーク超低エネルギー化技術の研究開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- モードホップフリーファイバレーザを用いたCs光原子時計(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- B-10-67 JGN II光ネットワークを用いたCs光原子時計のクロック配信実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- カーボンナノチューブを可飽和吸収体として用いた波長1.5μm帯フェムト秒ソリトンファイバレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-1 カーボンナノチューブ含有ポリカーボネート可飽和吸収体の作製と波長1.5μm帯フェムト秒ファイバソリトンレーザへの応用(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 30dBのサイドローブ抑圧比を有する0.4GHz超狭帯域FBG光フィルタ(光ファイバ,光ファイバケーブル,光ファイバ部品,光信号処理,光計測,光伝搬,光発生,一般)
- 光周波数および繰り返し周波数を同時安定化した40GHz再生モード同期パルスレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- フェムト秒パルスを用いた640Gbit/s OTDM信号の100km伝送
- モード周期ファイバリングレーザー
- B-10-56 フェムト秒パルスを用いたTDM640Gbit/s-100km伝送
- DFBレーザ内4光波混合による波長変換と光位相共役
- 位相変調器による3次, 4次分散同時補償を用いた1.28Tbit/s-70kmフェムト秒パルスOTDM伝送
- チャープファイバグレーティングにおける群遅延リプルの発生原因の解明とその回避方法の提案
- 波長可変モード同期レーザを用いたサブキャリヤアドレス処理およびルーティング
- 非線形チャープファイバグレーティングによる光適応等化器の提案
- B-10-158 低群遅延リップルファイバグリーティングによる分散補償を用いた 40 Gbit/s-500 km SMF 伝送実験
- B-10-154 分散マネージメント伝送路を用いた 1 Tb/s(40 Gb/s×25波)-1,750km DWDM ソリトン伝送
- B-10-142 郡遅延リップルを低減化した非線形チャープファイバグレーティングを用いた可変分散等化器の基本特性
- B-10-94 フェムト秒パルスを用いた単一波長 1.28Tbit/s-70km OTDM 伝送
- B-10-93 テラビット OTDM 伝送における位相変調器を用いた3次、4次分散同時補償
- 光ソリトンパルスのシミュレーション技術(4.光・マイクロ波分野におけるシミュレーション技術)(電子情報通信を支えるシミュレーション技術)
- ソリトン効果を用いた広帯域光源のコヒーレンスに対するASE雑音の影響
- 偏波保持型分散フラット分散減少ファイバによる高安定54fsソリトンパルス発生
- CWエルビウム添加光ファイバレーザにおけるモードホップの要因
- チャープファイバグレーティングにおける群遅延リップルの発生原因の検討
- B-10-93 非線形チャープファイバグレーティング対による分散エミュレータ
- B-10-86 同期変調方式を用いたDMソリトン伝送における分散振り幅の許容範囲
- C-4-8 偏波保持型分散フラット分散減少ファイバによる高安定フェムト秒ソリトンパルス圧縮
- C-4-7 ソリトン効果を含めた超高速ファイバレーザの計算機解析
- 波長1.5μm帯無変調出力型^C_2H_2(アセチレン)周波数安定化半導体レーザの発振特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 850nm帯VCSELを用いたフォトニック結晶ファイバ伝送技術(大容量伝送技術,超高速伝送技術・光増幅技術,一般,(OFC報告))
- 多重露光した電子ビーム描画位相マスクによるチャープファイバグレーティングの群遅延リップルの低減化
- フォトニック結晶/量子ドット融合超高速全光スイッチのスイッチング動作(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- SC-1-3 2 次元フォトニック結晶スラブ導波路の超高速光スイッチ (PC-SMZ) 応用
- B-10-73 超高速半導体SMZスイッチによる全光640Gbit/s OTDM信号の多重分離(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- B-10-44 850nm単一モードVCSELを用いた40Gb/s-2kmフォトニック結晶ファイバ伝送(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- B-10-43 850nm帯VCSELの直接変調による10Gbit/s(4波×2.5Gbit/s)フォトニック結晶ファイバ伝送(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- ピコ秒ストリークカメラと低遅延広帯域スーパコンティニューム光を用いたフォトニック結晶ファイバの広帯域一括分散測定(光エレクトロニクス)
- B-10-81 フォトニック結晶ファイバ、VCSEL、Si-APDを用いた850nm帯10Gb/s-5km光伝送実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- フォトニック結晶ファイバと従来ファイバの融着接続における最適な空孔テーパの観測とフレネル反射の低減(光エレクトロニクス)
- C-3-107 800nm帯零分散-分散フラットフォトニック結晶ファイバの試作(C-3. 光エレクトロニクス(ホーリーファイバ), エレクトロニクス1)
- 零分散-分散フラットフォトニック結晶ファイバの最適分散設計法の提案(光エレクトロニクス)
- C-3-76 ピコ秒ストリークカメラとSC光を組み合わせたフォトニック結晶ファイバの広帯域一括分散測定(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-144 フォトニック結晶ファイバと従来ファイバの接続特性(ホーリーファイバ(2))(C-3.光エレクトロニクス)
- ポリアミドにP3HT含有単層カーボンナノチューブを塗布したフィルム状可飽和吸収体とフェムト秒ファイバレーザへの応用(光ファイバ,光ファイバケーブル,光ファイバ部品,光信号処理,光計測,光伝搬,光発生,一般)
- C-4-5 ポリアミドにP3HT含有単層カーボンナノチューブを塗布したフィルム状可飽和吸収体とフェムト秒ファイバレーザヘの応用(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光時分割多重を用いたスーパーハイビジョン映像の伝送(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- 二次元フォトニック結晶導波路と量子ドットを組み合わせた超高速全光スイッチ(PC-SMZ)
- C-3-32 超低損失導波路を有するQDベースSMZ光スイッチ(PC-SMZ)(C-3. 光エレクトロニクス(光スイッチ), エレクトロニクス1)
- 超高速光LAN-SANシステム化技術の目標と現状(省エネルギーと超高速インターネット-システム,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- BS-10-5 超高精細映像時代に向けた光LAN要素技術開発(BS-10.光スイッチング・光インターコネクション・光LAN技術〜ラック間・ボード間・チップ間光ネットワークへ〜,シンポジウムセッション)
- フォトニック結晶/量子ドット融合超高速全光スイッチのスイッチング動作(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶/量子ドット融合超高速全光スイッチのスイッチング動作(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- フォトニック結晶/量子ドット融合超高速全光スイッチのスイッチング動作(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 帯域可変型波長選択スイッチの開発 : モノリシック集積AWGのスイッチングデバイスへの応用(コア・メトロシステム,フォトニックネットワーク・システム,光ネットワーク運用管理,光ネットワーク設計,トラヒックエンジニアリング,シグナリング,GMPLS,ドメイン間経路制御,ネットワーク監視,イーサネット,光伝達網(OTN),高速インタフェース,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,光クロスコネクト(OXC),光分岐挿入多重(OADM),光多重・分離装置,光信号処理,光スイッチ素子,一般)
- 帯域可変型波長選択スイッチの開発 : モノリシック集積AWGのスイッチングデバイスへの応用(コア・メトロシステム,フォトニックネットワーク・システム,光ネットワーク運用管理,光ネットワーク設計,トラヒックエンジニアリング,シグナリング,GMPLS,ドメイン間経路制御,ネットワーク監視,イーサネット,光伝達網(OTN),高速インタフェース,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,光クロスコネクト(OXC),光分岐挿入多重(OADM),光多重・分離装置,光信号処理,光スイッチ素子,一般)
- 帯域可変型波長選択スイッチの開発 : モノリシック集積AWGのスイッチングデバイスへの応用(コア・メトロシステム,フォトニックネットワーク・システム,光ネットワーク運用管理,光ネットワーク設計,トラヒックエンジニアリング,シグナリング,GMPLS,ドメイン間経路制御,ネットワーク監視,イーサネット,光伝達網(OTN),高速インタフェース,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,光クロスコネクト(OXC),光分岐挿入多量(OADM),光多重・分離装置,光信号処理,光スイッチ素子,一般)
- C-3-21 シリコン細線導波路による超高速光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-2-8 光ネットワーク超低エネルギー化のためのデバイス技術(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- マッハツェンダー干渉型サブバンド間遷移全光スイッチによる160Gb/s信号の多重分離動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- カーボンナノチューブを可飽和吸収体として用いた波長1.5μm帯フェムト秒ソリトンファイバレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- カーボンナノチューブを可飽和吸収体として用いた波長1.5μm帯フェムト秒ソリトンファイバレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- カーボンナノチューブを可飽和吸収体として用いた波長1.5μm帯フェムト秒ソリトンファイバレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- AlGaAs系フォトニック結晶微小共振器の双安定応答
- AlGaAs系フォトニック結晶微小共振器の双安定応答(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- AlGaAs系フォトニック結晶微小共振器の双安定応答(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- AlGaAs系フォトニック結晶微小共振器の双安定応答(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- InGaAs/InAlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速全光型スイッチの開発(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InGaAs/InAlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速全光型スイッチの開発(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- サブバンド間遷移を用いた全光位相変調器
- 半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体量子井戸型素子を可飽和吸収体として用いた受動モード同期フェムト秒ファイバソリトンレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-3-60 InGaAs/AlAsSb量子井戸サブバンド間遷移の超高速位相変調効果と干渉計型全光スイッチへの応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 InGaAs/AlAs/AlAsSb量子井戸サブバンド間遷移における相互位相変調と光信号処理への応用(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- マッハツェンダー干渉型サブバンド間遷移全光スイッチによる160Gb/s信号の多重分離動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- マッハツェンダー干渉型サブバンド間遷移全光スイッチによる160Gb/s信号の多重分離動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 超高速サブバンド間遷移光スイッチの低エネルギー動作化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- サブバンド間遷移超高速全光スイッチ
- CS-8-3 超高速光信号処理デバイスの展望(CS-8.超100ギガ・デバイスおよびシステム技術の将来展望,シンポジウムセッション)
- C-4-21 SWNT/ポリイミドフィルム可飽和吸収体を用いた波長1.1μm帯フェムト秒ファイバソリトンレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-11-6 InGaAs/AlAs/AlAsSbサブバンド間遷移スイッチによる超高速光信号処理(CS-11.光信号処理用デバイスの現状と展望,シンポジウム)
- C-3-78 チャープコアバンド構造を用いた超高比屈折差アレイ導波路における0次回折光の低損失化(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- PC-2-5 波長変換デバイスの現状と展望
- 半導体利得媒質中の四光波混合による波長変換・位相共役波発生
- C-3-38 集積化シリコン導波路型光スイッチと光パスネットワークへの応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- サブバンド間遷移による全光スイッチ
- InGaAs/AlAsSb量子井戸サブバンド間遷移を用いた位相変調導波路の反射型動作と全光信号処理
- 4ポート三接続状態を有するシリコン光スイッチ
- 液晶空間光変調器を用いた光スイッチ用高速収差補償アルゴリズム(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 液晶空間光変調器を用いた光スイッチ用高速収差補償アルゴリズム(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 液晶空間光変調器を用いた光スイッチ用高速収差補償アルゴリズム(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 液晶空間光変調器を用いた光スイッチ用高速収差補償アルゴリズム(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 液晶空間光変調器を用いた光スイッチ用高速収差補償アルゴリズム(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)