19aYJ-11 ZnSe/BeTe超格子における短波長サブバンド間遷移の超高速光学応答
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-09-03
著者
-
佐々木 史雄
電総研
-
佐々木 史雄
産総研光技術
-
秋本 良一
電子技術総合研究所
-
秋本 良一
産総研・光技術研究部門
-
秋田 一路
東理大・基礎工
-
佐々木 史雄
産総研・光技術研究部門
-
秋田 一路
産業技術総合研究所超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
秋田 一路
産総研 超高速光信号処理デバイス研究ラボ
関連論文
- 25pL-2 擬イソシアニンJ会合体におけるフォノンを媒介したコヒーレント過渡現象II
- 擬イソシアニンJ会合体中の仮想励起子によるコヒーレント過渡現象
- 25aYB-5 擬イソシアニンJ会合体におけるフォノンを媒介したコヒーレント過渡現象
- 31p-PSB-8 有機J会合体の励起子ポーラロン
- 1p-YH-11 カーゲート法を用いた時間分解過渡吸収分光II
- 19pPSB-13 (チオフェン/フェニレン)コオリゴマー結晶の励起子遷移における会合体的性質(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 18pZB-11 (チオフェン/フェニレン)コオリゴマー結晶のリング状マイクロレーザーII(高密度励起現象・励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- π共役オリゴマー低次元結晶 : ラマン・レーザー作用と遅延パルス発光
- 25pWB-3 (チオフェン/フェニレン)コオリゴマー結晶のリング状マイクロレーザー(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 27pRE-11 チオフェン・フェニレン・コオリゴマー(TPCO)単結晶における時間遅れを伴ったパルス状発光II(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 28aPS-51 高密度励起下における(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー結晶の時間分解分光II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSA-20 (チオフェン/フェニレン)コオリゴマー結晶の吸収端近傍における光学遷移(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aXB-13 チオフェン・フェニレン・コオリゴマー(TPCO)単結晶における時間遅れを伴ったパルス状発光(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 26pYH-3 チオフェンフェニレンコオリゴマーの時間分解高密度発光(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 有機半導体レーザー材料チオフェン・フェニレン・コオリゴマー薄膜における強励起効果
- 有機半導体レーザー材料チオフェン・フェニレン・コオリゴマー薄膜における強励起効果(有機超薄膜と有機デバイス, 一般)
- 15aXC-7 フォトニック結晶スラブ中の有機半導体チオフェン・フェニレン・コオリゴマーの光学特性(フォトニノク結晶, 領域 1)
- 15aXC-7 フォトニック結晶スラブ中の有機半導体チオフェン・フェニレン・コオリゴマーの光学特性(フォトニック結晶, 領域 5)
- 13pPSA-82 (チオフェン/フェニレン)コオリゴマー単結晶の光学スペクトル(領域 5)
- 13aXD-4 (チオフェン/フェニレン)コオリゴマー単結晶の自然放射増幅光(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 30pXQ-9 チオフェン・フェニレン・コオリゴマー薄膜の光学及び電気特性(高密度励起現象)(領域5)
- 18pRF-11 DFB共振器ポラリトン共鳴励起下でのPIC-J会合体の非線形光学特性
- 27pXA-9 DFB微小共振器中におけるPIC-J会合体の非線形光学特性 : ポンププローブ分光
- 19aYJ-11 ZnSe/BeTe超格子における短波長サブバンド間遷移の超高速光学応答
- 半導体の光・スピン機能と応用の可能性
- 28aTB-6 新III-V 族希薄磁性半導体Ga_Cr_xAsの伝導特性
- 25pSB-1 ZnSe/BeTeタイプII超格子における短波長サブバンド間遷移の観測
- 23pSB-12 III-V族新希薄磁性半導体(Ga,Cr)Asの磁気的性質
- 22aK-6 (Ga,Mn)AsのΛ点における磁気光学スペクトル
- 22aK-3 Crイオンを含むIII-V族希薄磁性半導体(Ga,Cr)Asの合成と評価
- 希薄磁性半導体の光スピン機能の応用 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 遷移金属イオンを含むGaAsの合成と評価 -III-V族新希薄磁性半導体の合成の試み-
- 29a-ZE-10 巨大ゼーマン分裂サブレベル間における超高速キャリア・スピンダイナミクス
- 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_χTeの合成と評価
- 31p-YH-2 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe量子井戸における磁場中でのキャリアー・Mnスピンの高速ダイナミクス
- 8a-E-7 フェムト秒時間分解磁気光カー効果によるスピンの歳差運動の観測とその光制御
- 29p-R-8 CdTe/Cd_Mn_xTe量子井戸におけるキャリアースピンの高速緩和(II)
- CdTe/Cd_Mn_xTe量子井戸におけるキャリアースピンの高速緩和
- 2p-X-5 CdTe/Cd_Mn_xTe量子井戸中の励起子における縮退四光波混合の磁場効果
- 30a-Z-2 Cd_Mn_xTe/CdTe多重量子井戸における励起子の超高速ダイナミクス磁気光物性
- 31p-YL-4 Cd_Mn_xTe/CdTe多重量子井戸における励起子スピン緩和の超高速分光
- 27pRE-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VIII(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 20aXB-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VII(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 擬イソシアニンJ会合体中の仮想励起子によるコヒーレント過渡現象
- 擬イソシアニンJ会合体中の仮想励起子によるコヒーレント過渡現象
- 擬イソシアニンJ会合体中の仮想励起子によるコヒーレント過渡現象
- 28p-S-1 InGaNエピタキシャル薄膜の時間分解発光分光 : 高効率青色発光の起源
- 18pYG-12 原子層エピタキシー法で作製したZn(Mn)Se/Be(Mn)TeタイプII超格子の発光
- C-3-60 InGaAs/AlAsSb量子井戸サブバンド間遷移の超高速位相変調効果と干渉計型全光スイッチへの応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 超高速サブバンド間遷移光スイッチの低エネルギー動作化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- CBS-2-6 サブバンド間遷移を用いた超高速全光スイッチ(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- 18pRF-11 DFB共振器ポラリトン共鳴励起下でのPIC-J会合体の非線形光学特性
- 27pXA-9 DFB微小共振器中におけるPIC-J会合体の非線形光学特性 : ポンププローブ分光
- 25pRA-11 DFB微小共振器中におけるPIC-J会合体の光学特性
- フェムト秒第2高調波発生による表面反応の探査 : Si(111)再構成面におけるClエッチング反応
- CBS-2-6 サブバンド間遷移を用いた超高速全光スイッチ(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- 半導体量子井戸中のサブバンド間遷移を利用した超高速光スイッチの開発(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 半導体量子井戸中のサブバンド間遷移を利用した超高速光スイッチの開発(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 半導体量子井戸中のサブバンド間遷移を利用した超高速光スイッチの開発(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 28pYF-5 CdS/ZnSe/BeTe量子井戸中の短波長サブバンド間遷移における超高速非線形光学効果(量子井戸・超格子)(領域4)
- 28pTB-11 ZnSe/BeTeタイプ II超格子における光キャリアダイナミクス(2)
- 25pSB-2 ZnSe/BeTeタイプII超格子における励起子ダイナミクス
- 24aL-5 ZnSe/BeTe Type II超格子の作製と光学特性評価
- 26pYH-11 ZnSe/BeTe単一量子構造でのタイプII発光について III(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 13aXD-12 外部電場に対する変調ドープ ZnSe/BeTe type II 量子井戸の発光応答(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 13aXD-10 ZnSe/BeTe 単一量子構造でのタイプ II 発光について II(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 30pXQ-4 変調ドープZnSe/BeTe量子井戸における空間分離型電子・正孔再結合発光(高密度励起現象)(領域5)
- 30pXQ-3 ZnSe/BeTe単一量子構造でのタイプII発光について(高密度励起現象)(領域5)
- 22pPSA-66 ZnSe/BeTe タイプ II 量子井戸における光学的異方性
- 20pTH-9 n-ドープ ZnMgBeSe/ZnSe/BeTe タイプ II 量子井戸の光物性 (II)
- 30pPSA-63 n-ドープ ZnMgBeSe/ZnSe/BeTe タイプ II : 量子井戸の光物性
- 6p-G-16 パルス誘導光散乱による誘電関数の決定
- LiTaO_3の1THz近傍の誘電分散
- 1a-R-4 LiTaO_3に於けるテラヘルツ電磁波の電気光学生成と非対称ビーム配置を用いたグレーティングの効果
- スクエアリリウム色素J-会合体のメゾスコピック構造とフェムト秒超高速光学応答
- スクエアリリウム色素J-会合体のメゾスコピック構造とフェムト秒超高速光学応答
- 6a-J-5 マイクロスケール分光 : 単一のJ-会合体の検出に向けて
- 25a-YN-6 カーゲート法を用いた時間分解過渡吸収分光III
- 26pYH-9 非対称多重量子井戸ZnSe/BeTeにおけるタイプII発光の電場依存性(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 26pYH-8 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光 VI(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 6p-G-17 カーゲート法を用いた時間分解過渡吸収分光
- 31a-YC-3 PIC-J-会合体の永続的ホールバーニングと励起子非線形励起効果
- 25pYH-2 希薄磁性半導体量子構造におけるスピンのコヒーレンスの観測とその光制御
- 希薄磁性半導体のsp-d交換相互作用を利用した光誘起磁気力-効果
- 20aXB-9 微細金属マスクを用いたZnSe/BeTeのタイプII発光(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 13pPSA-55 ZnSe/BeTe タイプ II 超格子におけるキャリア閉じ込めと発光(領域 5)
- 13aXD-13 タイプ II 超構造 ZnSe/BeTe における特異な複合励起発光とその電場依存性(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 13aXD-11 強閉じ込め型タイプ II ZnSe/BeTe における異常発光 V(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 30pXQ-6 タイプII非対称超格子ZnSe/BeTeにおける特異な複合励起発光(高密度励起現象)(領域5)
- 30pXQ-5 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光IV(高密度励起現象)(領域5)
- 20pWB-3 強閉じ込め型タイプ II ZnSe/BeTe における異常発光 III
- 30pPSA-35 CdS/ZnSe タイプ II 超格子の発光スペクトル特性
- 29aYE-7 強閉じ込め型タイプ II ZnSe/BeTe における異常発光 II
- n型(チオフェン/フェニレン)コオリゴマーAC5-CF_3を用いたマイクロディスクレーザーの作製と積層構造を用いた有機EL発光スペクトル(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- n型(チオフェン/フェニレン)コオリゴマーAC5-CF_3を用いたマイクロディスクレーザーの作製と積層構造を用いた有機EL発光スペクトル(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- (チオフェン/フェニレン)コオリゴマー結晶からのレーザー発振と遅延発光(有機材料・一般)
- 8pSJ-15 強閉じ込め型タイプIIZnSe/BeTeにおける異常発光(非線形・超高圧分光法,高密度励起現象,新光源・新分光法,非線形光学,領域5)
- 6pSA-4 (CdS/ZnSe)/BeTe量子井戸構造における超高速サブバンド間緩和(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)
- 7pPSA-50 CdS/ZnSeタイプII超格子の特異な発光スペクトル(領域5)
- 26pPSB-12 (CdS/ZnSe:Cl)/BeTe超格子における短波長サブバンド間遷動(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))