相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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膜厚が1μmと20nmの相変化材料(Ge_2Sb_2Te_5)薄膜を有する光ゲートスイッチを設計・試作し,光パルス照射によるスイッチング動作に初めて成功した.厚膜型ゲートスイッチでは,波長1525nmから1600nmにおいてONからOFFへの一方向スイッチングを観測し,12.5dB以上の消光比を得た.薄膜型ゲートスイッチでは,二回のON/OFF/ON動作を観測し,出力光強度変化は一回目のON/OFF/ONにおいて14.3dB及び7.7dB,二回目のON/OFF/ONにおいて7.4dB及び4.4dBであった.結晶化光パルスはパルス幅453ns,ピークパワー63mW,アモルファス化光パルスはパルス幅10ns,ピークパワー150mWであり,それらの波長は660nmである.
- 2010-08-19
著者
-
津田 裕之
慶應義塾大学
-
河島 整
電子技術総合研究所
-
金高 健二
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
伊熊 雄一郎
慶應義塾大学大学院理工学研究科総合デザイン工学専攻
-
津田 裕之
慶應義塾大学大学院
-
河島 整
産業技術総合研究所
-
庄司 雄哉
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
田中 大輝
慶應義塾大学大学院理工学研究科
-
桑原 正史
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
王 暁民
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
豊崎 達也
慶應義塾大学大学院理工学研究科
-
津田 裕之
慶應義塾大学大学院理工学研究科
-
金高 健二
産業技術総合研究所
-
伊熊 雄一郎
慶應義塾大学大学院理工学研究科
-
河島 整
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
庄司 雄哉
独立行政法人産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
王 暁民
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
河島 整
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
-
庄司 雄哉
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
-
伊熊 雄一郎
慶應義塾大学大学院
-
田中 大輝
慶應義塾大学
-
桑原 正史
産業技術総合研究所
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