田中 大輝 | 慶應義塾大学大学院理工学研究科
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概要
関連著者
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田中 大輝
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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津田 裕之
慶應義塾大学
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田中 大輝
慶應義塾大学
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津田 裕之
慶應義塾大学大学院
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伊熊 雄一郎
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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伊熊 雄一郎
慶應義塾大学大学院
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伊熊 雄一郎
慶應義塾大学大学院理工学研究科総合デザイン工学専攻
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桑原 正史
産業技術総合研究所光技術研究部門
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金高 健二
産業技術総合研究所
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河島 整
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
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河島 整
電子技術総合研究所
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金高 健二
産業技術総合研究所光技術研究部門
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河島 整
産業技術総合研究所
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王 暁民
産業技術総合研究所光技術研究部門
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豊崎 達也
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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津田 裕之
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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庄司 雄哉
独立行政法人産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
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河島 整
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
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河島 整
独立行政法人産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
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庄司 雄哉
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
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王 暁民
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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庄司 雄哉
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
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桑原 正史
産業技術総合研究所
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桑原 正史
独立行政法人産業技術総合研究所近接場光応用工学研究センター
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河島 整
(独)産業技術総合研究所・ネットワークフォトニクス研究センター
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秦 将人
慶應義塾大学大学院理工学研究科総合デザイン工学専攻
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長本 康佑
慶應義塾大学大学院理工学研究科総合デザイン工学専攻
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梨本 恵一
エピフォトニクス株式会社
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桑原 正史
(独)産業技術総合研究所 近接場光応用工学研究センター
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金高 健二
独立行政法人産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
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王 暁民
独立行政法人産業技術総合研究所
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田中 大輝
慶應義塾大学理工学部
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浅倉 秀明
慶應義塾大学理工学部
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王 暁民
(独)産業技術総合研究所
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桑原 正史
(独)産業技術総合研究所
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河島 整
(独)産業技術総合研究所
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梨本 恵一
エピフォトニクス(株)
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河島 整
独立行政法人産業技術総合研究所
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金高 健二
独立行政法人産業技術総合研究所
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浅倉 秀明
慶應義塾大学大学院理工学研究科
-
河島 整
独立行政法人 産業技術総合研究所
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金高 健二
独立行政法人 産業技術総合研究所
著作論文
- 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作 (光エレクトロニクス)
- 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作 (電子部品・材料)
- Si細線導波路を用いた三種類の結合器における性能の分析と比較(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作 (機構デバイス)
- C-3-4 Siスラブ導波路内フレネルレンズ構造の検討(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Si細線交差導波路の損失,クロストークを低減するオフセット交差構造の提案(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-3-56 Si細線交差導波路の構造最適化の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-18 石英基板に充填された樹脂の温度依存性の評価(石英系導波路デバイス,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CI-3-1 相変化材料を用いた自己保持型超小型光スイッチ(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- C-3-41 相変化材料を用いたリブ型光ゲートスイッチ(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-1 自己保持機能を持つ高速光スイッチと波長選択素子(光スイッチ(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)