安田 哲二 | 産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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概要
関連著者
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安田 哲二
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
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板谷 太郎
産業技術総合研究所
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高木 信一
東京大学
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横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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宮田 典幸
産業技術総合研究所
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卜部 友二
産業技術総合研究所
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石井 裕之
産業技術総合研究所
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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福原 昇
住友化学
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星井 拓也
東京大学
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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竹中 充
東京大学
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横山 正史
東京大学
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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山田 永
住友化学
著作論文
- Hiigh-k/3-5界面の組成・構造とMIS特性との関係 (シリコン材料・デバイス)
- High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 反射率差振動を利用したシリコン酸化層数のその場計測