HDP-CVD形状シミュレーションのキャリブレーション手法
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概要
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HDP-CVDによる層間絶縁膜の埋め込みプロセスをモチーフとして、形状シミュレーションのキャリブレーション手法を検討した。形状シミュレータはAvant!社製のTerrainを使用した。HDP-CVDモデルでは、Thermal Deposition, Ion Enhanced Deposition, Sputter Etching(by Ar+), Re-depositionの4つの現象が起きていると考え、それぞれの形状進行への寄与が7つのパラメータによって決められている。断面SEM写真、プラズマシミュレーション、文献等を用いて各パラメータのキャリブレーションを行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-26
著者
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執行 直之
(株)東芝 ULSI研究所
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執行 直之
(株)東芝 セミコンダクタ社 マイクロプロセサ・asic事業部
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木下 繁
(株)東芝 セミコンダクタ社 マイクロプロセサ・ASIC事業部
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川口 英一
(株)東芝 セミコンダクタ社 マイクロプロセサ・ASIC事業部
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