格子依存性を緩和した反転層移動度モデル
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概要
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MOSFETのトレイン電流を高精度に計算するためには, 反転層移動度を正しく取り扱う必要がある. このための反転層移動度モデルがWattやShinにより提案されている. ところが, これらのモデルには, 格子間隔に依存して計算結果が大きく変化するという問題がある. 本報告では, Shinのモデルの格子依存性の原因を述べる. 更に, 格子間隔に依らず高精度にドレイン電流を計算できる反転層移動度モデルについて述べる. このモデルは各コントロールボリュームに対して実効的な反転層移動度を与える.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-25
著者
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執行 直之
(株)東芝 ULSI研究所
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遠田 利之
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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執行 直之
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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執行 直之
(株)東芝デバイス技術研究所
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遠田 利之
(株)東芝ulsi研究所
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