遠田 利之 | (株)東芝ulsi研究所

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概要

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関連著者

• 執行 直之

  (株)東芝 ULSI研究所

• 遠田 利之

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 遠田 利之

  (株)東芝ulsi研究所

• 執行 直之

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 執行 直之

  (株)東芝デバイス技術研究所

• 執行 直之

  (株)東芝ulsi研究所

著作論文

• 格子依存性を緩和した反転層移動度モデル
• 格子依存性を緩和した反転層移動度モデル
• 格子依存性を緩和した反転層移動度モデル
• 格子依存性を緩和した反転層移動度モデル
• 埋込チャネルMOSFETのSスイングと短チャネル効果の改善 : Counter-Doped Surface-Channel MOSFET (CDSC)(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)

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