TCADを用いたMOSFETの感度・統計解析
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概要
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素子の微細化に伴いプロセスばらつきによるLSIの歩留りの低下が問題になっている. このため, 感度・統計解析によるロバストなプロセス/デバイス/回路設計が求められている. 本稿では, Technology CAD(TCAD)を用いたMOSFETの感度・統計解析について述べる. プロセスばらつきに基づき, 回路モデルBSIM3v3のワーストケース・モデルを作成した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-25
著者
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執行 直之
(株)東芝 ULSI研究所
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脇田 直樹
(株)東芝
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執行 直之
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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執行 直之
(株)東芝デバイス技術研究所
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脇田 直樹
(株)東芝半導体設計・評価技術センター
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森下 哲至
東芝CAEシステムズ(株)
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菅原 謙一
(株)東芝半導体事業本部
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朝日 良典
(株)東芝半導体事業本部
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