レイアウト依存性を考慮したコンパクトモデルの開発(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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複雑化するレイアウト依存性を取り扱うことができる実用的なMOSFETモデルを作成するためには、単純な依存性だけでなく様々な交互作用まで考慮したコンパクトモデルを開発する必要がある。我々は45nm世代CMOSをベースに現実的な形状を取り扱うことのできるモデルを完成させた。モデルの柔軟性と精度を検証するためにスタンダードセルの実験結果とモデル予測との比較を行ったところ、NMOS・PMOSともに非常に高い完成度であることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-22
著者
-
親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
大谷 寛
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
親松 尚人
株式会社東芝セミコンダクター社
-
森藤 英治
株式会社東芝セミコンダクタ社
-
大谷 寛
株式会社東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
相川 恒
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
佐貫 朋也
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
坂田 明雄
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
吉村 尚郎
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
浅見 哲也
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
親松 尚人
株式会社東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
森藤 英治
株式会社東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
佐貫 朋也
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
-
吉村 尚郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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