阿部 孝夫 | 信越半導体
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概要
関連著者
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阿部 孝夫
信越半導体
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阿部 孝夫
信越半導体(株)半導体研究所
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阿部 孝夫
信越半導体kk
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飯田 敏
富山大・理
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飯田 敏
富山大学理学部物理学科
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河田 洋
高エ研・放射光
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阿部 孝夫
信越半導体(株)磯部研究所
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寺山 明哲
富山大学・理学部
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千川 純一
KEK・PF
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杉浦 直樹
富山大学・理学部
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千川 純一
NHK基礎研
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飯田 敏
富山大学・理学部
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岩井 剛一
富山大学・理学部
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河田 洋
高エネルギー加速器研究機構・物質構造科学研究所・放射光科学研究施設
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杉田 吉充
富山大・理
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石松 直樹
富山大学・理学部
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河田 洋
高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所
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大滝 紀夫
信越半導体
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原田 博文
信越半導体kk
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和田 一実
信越半導体
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沖津 康平
高工研(放射光)
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原田 博文
信越半導体
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末沢 正志
東北大金研
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角野 浩二
東北大金研
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三谷 清
信越半導体磯部研究所
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中里 泰章
長野電子工業株式会社
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野上 幸子
富山大・理
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笠置 延生
富山大・理
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沖津 康平
富山大・理
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金 致洙
朝鮮大工
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北村 隆二
富山大学・理学部
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中里 泰章
長野電子
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三谷 清
信越半導体 半導体磯部研
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金 致沫
朝鮮大工
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石橋 章司
東大・工
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鈴木 泰之
東大・工
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堂山 昌男
東大・工
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金 致洙
朝鮮大
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原田 敬次
富山大・理
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和田 一実
マサチューセッツ工科大
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堂山 昌男
東大工
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上田 和浩
日立・日立研
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木村 雅規
信越半導体
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鈴木 泰之
東大工:現三重大
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松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
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堂山 昌男
帝京科大
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竹野 博
信越半導体(株)
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松本 智
慶應義塾大学
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河田 洋
KEK・PF
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杉田 吉充
富山大理物理
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飯田 敏
富山大理
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河田 洋
高エ研・PF
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石橋 章司
東大先端研
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室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
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千川 純一
NHK放送科学基礎研究所 物性研究部
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中野 正剛
信越半導体磯部研究所
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阿賀 浩司
信越半導体磯部研究所
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藤本 勲
NHK基礎研
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北村 隆二
富山大・理
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杉浦 直樹
富山大・理
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寺山 明哲
富山大・理
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小宅 俊浩
富山大・理
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小宅 俊浩
富山大学・理学部
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石橋 章司
東大工
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ヒルマン イルワン
慶應義塾大学
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オスマン ヒルマン
慶應義塾大学
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藤本 勲
NHK放送技術研究所
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原田 敬次
富山大理
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青木 嘉郎
富山大理
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河田 洋
高工研(放射光)
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杉田 吉充
富山大学理学部
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上田 和浩
富山大学 理学部
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上田 和浩
富山大・理
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竹野 博
富山大・理
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木村 雅規
信越半導体(株)半導体磯部研研究所
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野上 幸子
富山大学・理学部
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和田 一実
MIT
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中林 幸雄
慶應義塾大学
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豊永 一成
慶應義塾大学
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横田 香織
慶應義塾大学
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千川 純一
姫路工大理学部
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千川 純一
Nhk放送科学基礎研究所
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中林 幸雄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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萩本 和徳
信越半導体
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阿部 孝夫
信越半導体株式会社
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飯田 敏
富山大学理学部・物理
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杉田 吉充
富山大理
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鈴木 泰之
東大工
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不破 康敬
東大工
著作論文
- シリコン融液成長における軽元素の偏析現象 : I. 成長誘起不純物偏析現象
- 30p-RC-5 陽電子消滅法による半導体格子欠陥の研究
- 29a-RC-4 窒素及び酸素を添加したシリコンの光吸収
- 20世紀とシリコン単結晶
- 役に立つ研究
- 貼り合わせSOIウエハーの今後の展開 -作製と評価-
- ULSIのための貼り合わせSOI基板とその製作技術
- 大直径シリコンウェーハの超平たん化技術 ( ミクロを創る 2.半導体-2)
- ULSI のための貼り合わせ SOI 技術
- ULSI時代のシリコン単結晶の課題(機能素子・部品と単結晶育成)
- 8a-S-13 低速引き上げSi結晶中grown-in微小欠陥の放射光トポグラフィ観察III
- 31p-A-13 ブラッグケースのセクショントポグラフィによるシリコン結晶中微小欠陥の観察
- 低速引き上げSi結晶中as-grown微小欠陥の放射光トポグラフィ観察II
- 3p-M-11 引き上げ途中その場アニールされたCZ-Si結晶中微小欠陥の高エネルギー放射光トポグラフィ観察
- 3p-M-10 低速引き上げSi結晶中as-grown微小欠陥の放射光トポグラフィ観察
- 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
- 4a-YG-10 As-grown CZ-Si結晶中の微小欠陥のX線トポグラフィ観察
- 放射光トポグラフィーによるシリコン結晶中の微小欠陥の観察 - 高エネルギーX線・高次反射の利用 -
- 4a-Z-3 X線高次反射トラバーストボグラフ法によるFZ-Si結晶中の微小欠陥の観察
- FZシリコン結晶中のストリエーション : 評価
- 8p-N-5 Si単結晶中の転位の発生と運動
- 7a-X-2 ブラッグケースのセクショントポグラフィによるシリコン結晶中微小欠陥の観察 II
- 29pYE-3 CZ シリコン結晶成長における成長速度の限界と界面形状
- 29pYE-3 CZ シリコン結晶成長における成長速度の限界と界面形状
- 7p-S-8 半導体完全結晶の成長
- 半導体デバイス検査へのX線トポグラフィの応用
- 4p-P-3 Si単結晶の成長帯のX線像 II
- 1p-E-2 Si 単結晶の成長機構と成長層の X 線像
- 1p-E-1 Si 単結晶の酸化熱処理で発生する転位ループ
- 半導体結晶のトポグラフィ
- FZシリコン単結晶中のA欠陥とD欠陥(ことばの泉)
- 2011年日本結晶成長学会特別講演会「バルク半導体結晶開発に見る温故知新」感想文(学会活動報告)
- CZ-Si結晶成長におけるGrown-In欠陥の直径効果 : 半導体液相成長II
- シリコンの結晶成長と次世代基板技術
- 延性モード研削によるシリコンウェーハの加工
- 半導体シリコン結晶工学 : 志村史夫著, A5判436頁, 丸善1993年9月刊, 定価8,858円(税込)
- 1p-TE-6 シリコン融液からの結晶成長と点欠陥の拡散
- シリコン結晶中の点欠陥と2次欠陥
- Si結晶の不均一性の原因
- 30a-LG-5 シリコン中の窒素-酸素複合体形成過程(格子欠陥)
- 28a-LG-4 陽電子消滅法を用いたシリコン中の格子欠陥の研究(格子欠陥)