3p-M-10 低速引き上げSi結晶中as-grown微小欠陥の放射光トポグラフィ観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-03-15
著者
-
阿部 孝夫
信越半導体(株)半導体研究所
-
飯田 敏
富山大・理
-
岩井 剛一
富山大学・理学部
-
河田 洋
高エ研・放射光
-
河田 洋
高エネルギー加速器研究機構・物質構造科学研究所・放射光科学研究施設
-
阿部 孝夫
信越半導体
-
阿部 孝夫
信越半導体kk
-
飯田 敏
富山大学理学部物理学科
-
杉浦 直樹
富山大学・理学部
-
寺山 明哲
富山大学・理学部
-
石松 直樹
富山大学・理学部
-
飯田 敏
富山大学・理学部
-
河田 洋
高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所
関連論文
- シリコン融液成長における軽元素の偏析現象 : I. 成長誘起不純物偏析現象
- 30p-RC-5 陽電子消滅法による半導体格子欠陥の研究
- 29a-RC-4 窒素及び酸素を添加したシリコンの光吸収
- 28pRE-5 磁気コンプトン散乱によるYTiO_3の電子状態観測(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- シンクロトロン放射光のスリットによるフラウンホーファー回折
- 20aRA-9 放射光を用いた単結晶TTF-CAの電子密度解析2(ゼロギャップ系・回折・N-I転移,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aZB-11 放射光を用いた単結晶TTF-CAの精密構造解析と電子密度解析(25aZB 金属(架橋)鎖体/配位高分子,中性-陽性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pWE-6 アモルファスGd_Ni_の磁気コンプトンプロファイル解析(スピングラス,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 散乱因子の虚数部だけによる動力学回折 : 共鳴動力学回折
- 26aYA-11 単原子完全結晶におけるX線純虚数分極率の効果の検出
- 19aPS-96 磁気コンプトン散乱によるYTiO_3の3d-t_軌道の観測(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aPS-97 X線磁気回折実験システムの高度化およびYTiO_3の3次元スピン密度分布測定への応用(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aYK-2 KEK-PF-BL3C3におけるX線磁気回折実験システムの高度化とYTiO_3への応用(23aYK X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aXB-1 磁気コンプトン散乱によるYTi03の整列軌道の観測(25aXB 陽電子消滅・コンプトン散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- レインボー・ガーネットの白色X線トポグラフィー
- 放射光のパルス特性を活かしたレーザーポンプ・放射光プローブ時間分解測定法の開発
- 放射光X線・光音響顕微鏡の開発と3次元素材分析(発表論文抄録(1991年))
- 固体の光音響EXAFS(発表論文抄録(1989年))
- 1p-M-4 TEMとX線トポグラフィーによるLEC GaAs結晶中のgrown-in転位の観察
- 放射光動的トポグラフ法の開発と二次再結晶過程観察への応用(微小域構造解析)(分析評価・解析)
- シンクロトロン放射光によるX線回折画像計測技術の進歩
- 28aYR-9 SrTi(^O_^O_x)_3の低温ラウエトポグラフィー
- 22pYH-11 SPring-8における低温ラウエトポグラフィーの開発
- 4a-W-8 X線用モノクロメーターとしてのタングステン単結晶の評価
- ERL研究会「コンパクトERLが拓く世界」報告
- 22pWB-11 放射光を用いた中性相とイオン相におけるTTF-CAの単結晶電子密度解析(π-d系,N-I移転,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pYK-16 TTF-CAのサブナノ秒時間分解X線結晶構造解析(π-d系1, N-1移転,領域7(分子性固体・有機導体))
- パルスX線とフェムト秒レーザーによる動的構造解析
- 26p-A-3 絶対格子定数測定システムの開発 I
- 30a-ZB-5 X線用モノクロメーターとしてのタングステン単結晶の評価 II
- 20世紀とシリコン単結晶
- 役に立つ研究
- 貼り合わせSOIウエハーの今後の展開 -作製と評価-
- ULSIのための貼り合わせSOI基板とその製作技術
- 大直径シリコンウェーハの超平たん化技術 ( ミクロを創る 2.半導体-2)
- ULSI のための貼り合わせ SOI 技術
- ULSI時代のシリコン単結晶の課題(機能素子・部品と単結晶育成)
- 30a-N-8 放射光X線回折によるLaMnO_3の軌道秩序の直接観測
- 8a-S-13 低速引き上げSi結晶中grown-in微小欠陥の放射光トポグラフィ観察III
- 31p-A-13 ブラッグケースのセクショントポグラフィによるシリコン結晶中微小欠陥の観察
- 31p-A-12 統計的動力学理論の実験的検証II
- 統計的動力学理論の実験的検証
- 低速引き上げSi結晶中as-grown微小欠陥の放射光トポグラフィ観察II
- 3p-M-11 引き上げ途中その場アニールされたCZ-Si結晶中微小欠陥の高エネルギー放射光トポグラフィ観察
- 3p-M-10 低速引き上げSi結晶中as-grown微小欠陥の放射光トポグラフィ観察
- 24aWX-2 放射光X線トポグラフィによるCZシリコン結晶ネック部の転位の三次元分布観察(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYK-9 X線回折トポグラフィによるリラクサー結晶PZN-9%PTのドメイン観察(24pYK 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20pYM-10 リラクサー結晶PZNの白色X線トポグラフィ(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
- 層状ペロブスカイト型マンガン酸化物の電荷・軌道秩序の直接観測
- 29a-Q-8 放射光X線回折によるLa_Sr_MnO_4の電荷と軌道の秩序
- 4a-YG-10 As-grown CZ-Si結晶中の微小欠陥のX線トポグラフィ観察
- 15a-DL-5 高エネルギーX線セクショントポグラフィーによるAs-Grown CZ-シリコン結晶中の微小欠陥の定量的評価
- 放射光トポグラフィーによるシリコン結晶中の微小欠陥の観察 - 高エネルギーX線・高次反射の利用 -
- 31p-ZB-12 結晶傾斜法によるシリコン結晶の結晶完全性と統計的動力学理論による解析
- 高次反射を用いたX線トポグラフィによる結晶評価
- 27p-L-11 結晶傾斜法によって測定した微小欠陥を含むCzシリコン結晶におけるペンデル振動
- X線トポグラフィによるシリコン結晶の評価 : 招待講演II
- 3p-E-5 シンクロトロン放射光を用いた高次反射トポグラフ法によるSi中微小欠陥の研究
- 4a-Z-3 X線高次反射トラバーストボグラフ法によるFZ-Si結晶中の微小欠陥の観察
- FZシリコン結晶中のストリエーション : 評価
- 5a-P-1 イメージングプレートによるX線高次反射セクショントポグラフ法
- 4a-B5-3 高次反射によるセクショントポグラフ法とその応用
- 1a-UB-7 X線二結晶法によるBaTiO_3表面層の研究
- 8p-N-5 Si単結晶中の転位の発生と運動
- ストライエーション
- トポ・トモグラフィ技術を併用した放射光白色トポグラフィによる転位の3D構造決定
- 24pYS-12 放射光平面波X線を用いたgrown-in欠陥を含むシリコン結晶の回折強度曲線測定(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- SPring-8におけるCZ-Si結晶中の転位の伝播挙動と三次元構造評価(半導体結晶成長III)
- Si単結晶インゴットのX線トポグラフィ : バルク結晶成長III
- 光音響X線吸収スペクトル(PAXAS). : III. 画像分析. IV. 気体のX線光音響効果(発表論文抄録(1987年発行分))
- 行事幹事この一年
- 22pZL-4 コンプトン散乱法による3次元電子運動量密度研究
- 光音響X線吸収スペクトル(PAXAS). : I. 線吸収微細構造X(EXAFS). II. 深部情報(発表論文抄録(1987年発行分))
- 7a-X-2 ブラッグケースのセクショントポグラフィによるシリコン結晶中微小欠陥の観察 II
- 7a-X-1 GaAs結晶中のX線トポグラフに見られた転位像の白黒コントラスト
- 29pYE-3 CZ シリコン結晶成長における成長速度の限界と界面形状
- 29pYE-3 CZ シリコン結晶成長における成長速度の限界と界面形状
- 1p-KN-8 強誘電体-反強誘電体混晶系のダイポール・グラス
- PF-AR の高度化とその成果
- 1a-KN-1 X線二結晶法によるBaTiO_3表面層
- X線トポグラフィその場観察
- 7p-S-8 半導体完全結晶の成長
- 半導体デバイス検査へのX線トポグラフィの応用
- 4p-P-3 Si単結晶の成長帯のX線像 II
- 1p-E-2 Si 単結晶の成長機構と成長層の X 線像
- 1p-E-1 Si 単結晶の酸化熱処理で発生する転位ループ
- 半導体結晶のトポグラフィ
- FZシリコン単結晶中のA欠陥とD欠陥(ことばの泉)
- D欠陥
- スワール
- 真性点欠陥
- 2011年日本結晶成長学会特別講演会「バルク半導体結晶開発に見る温故知新」感想文(学会活動報告)
- X線トポグラフィの三次元化と応用
- CZ-Si結晶成長におけるGrown-In欠陥の直径効果 : 半導体液相成長II
- シリコンの結晶成長と次世代基板技術
- 延性モード研削によるシリコンウェーハの加工
- 半導体シリコン結晶工学 : 志村史夫著, A5判436頁, 丸善1993年9月刊, 定価8,858円(税込)
- 1p-TE-6 シリコン融液からの結晶成長と点欠陥の拡散
- シリコン結晶中の点欠陥と2次欠陥