Si単結晶インゴットのX線トポグラフィ : バルク結晶成長III
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概要
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High-energy synchrotron-radiation X-ray topography has been applied to the observation of CZ-Si crystal ingots. This technique revealed the behavior of dislocations generated at the seed-grown crystai interface of the CZ-Si ingot grown using a heavily B-doped Si seed, and clarified the suppression of dislocation generation by use of heavily B and Ge codoped Si seeds. We conclude that the high-energy X-ray topography is very useful as the nondesructive inspection of Si ingots.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
飯田 敏
富山大・理
-
近浦 吉則
九工大
-
太子 敏則
東北大学金属材料研究所
-
太子 敏則
信州大学教育学部
-
鈴木 芳文
九工大・工
-
梶原 堅太郎
高輝度光科学研究センター
-
梶原 堅太郎
SPring-8
-
梅野 正隆
阪大
-
梶原 堅太郎
Jasri Spring-8
-
近浦 吉則
九州工業大学工学部物質工学科
-
干川 圭吾
信州大学教育学部
-
飯田 敏
富山大学理学部物理学科
-
川戸 清爾
理学電機(株)X線研究所
-
梅野 正隆
阪大・工
-
干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
-
川戸 清爾
九州シンクロトロン光研究センター
-
干川 圭吾
信州大・教育
-
太子 敏則
信州大・教育
-
出作 雅幸
富山大
-
山口 敏
富山大
-
干川 圭吾
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
-
鈴木 芳文
九州工業大学大学院工学研究科
-
梶原 堅太郎
高輝度光科学研究所
-
干川 圭吾
信州大
-
梶原 堅太郎
高輝度光科学研究センター 産業利用推進室
-
鈴木 芳文
九工大 (工)
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