延性モード研削によるシリコンウェーハの加工
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1995-07-01
著者
関連論文
- シリコン融液成長における軽元素の偏析現象 : I. 成長誘起不純物偏析現象
- 30p-RC-5 陽電子消滅法による半導体格子欠陥の研究
- 29a-RC-4 窒素及び酸素を添加したシリコンの光吸収
- 半導体完全結晶へのアプロ-チ (極限技術と応用物理特集号) -- (材料技術の極限)
- 20世紀とシリコン単結晶
- 役に立つ研究
- 貼り合わせSOIウエハーの今後の展開 -作製と評価-
- ULSIのための貼り合わせSOI基板とその製作技術
- 大直径シリコンウェーハの超平たん化技術 ( ミクロを創る 2.半導体-2)
- ULSI のための貼り合わせ SOI 技術
- ULSI時代のシリコン単結晶の課題(機能素子・部品と単結晶育成)
- 8a-S-13 低速引き上げSi結晶中grown-in微小欠陥の放射光トポグラフィ観察III
- 31p-A-13 ブラッグケースのセクショントポグラフィによるシリコン結晶中微小欠陥の観察
- 低速引き上げSi結晶中as-grown微小欠陥の放射光トポグラフィ観察II
- 3p-M-11 引き上げ途中その場アニールされたCZ-Si結晶中微小欠陥の高エネルギー放射光トポグラフィ観察
- 3p-M-10 低速引き上げSi結晶中as-grown微小欠陥の放射光トポグラフィ観察
- 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
- 4a-YG-10 As-grown CZ-Si結晶中の微小欠陥のX線トポグラフィ観察
- 放射光トポグラフィーによるシリコン結晶中の微小欠陥の観察 - 高エネルギーX線・高次反射の利用 -
- 4a-Z-3 X線高次反射トラバーストボグラフ法によるFZ-Si結晶中の微小欠陥の観察
- FZシリコン結晶中のストリエーション : 評価
- 8p-N-5 Si単結晶中の転位の発生と運動
- 7a-X-2 ブラッグケースのセクショントポグラフィによるシリコン結晶中微小欠陥の観察 II
- 29pYE-3 CZ シリコン結晶成長における成長速度の限界と界面形状
- 29pYE-3 CZ シリコン結晶成長における成長速度の限界と界面形状
- 7p-S-8 半導体完全結晶の成長
- 半導体デバイス検査へのX線トポグラフィの応用
- 4p-P-3 Si単結晶の成長帯のX線像 II
- 1p-E-2 Si 単結晶の成長機構と成長層の X 線像
- 1p-E-1 Si 単結晶の酸化熱処理で発生する転位ループ
- 半導体結晶のトポグラフィ
- FZシリコン単結晶中のA欠陥とD欠陥(ことばの泉)
- 2011年日本結晶成長学会特別講演会「バルク半導体結晶開発に見る温故知新」感想文(学会活動報告)
- CZ-Si結晶成長におけるGrown-In欠陥の直径効果 : 半導体液相成長II
- シリコンの結晶成長と次世代基板技術
- 延性モード研削によるシリコンウェーハの加工
- 半導体シリコン結晶工学 : 志村史夫著, A5判436頁, 丸善1993年9月刊, 定価8,858円(税込)
- 1p-TE-6 シリコン融液からの結晶成長と点欠陥の拡散
- シリコン結晶中の点欠陥と2次欠陥
- Si結晶の不均一性の原因
- 30a-LG-5 シリコン中の窒素-酸素複合体形成過程(格子欠陥)
- 28a-LG-4 陽電子消滅法を用いたシリコン中の格子欠陥の研究(格子欠陥)