大直径シリコンウェーハの超平たん化技術 (<特集> ミクロを創る 2.半導体-2)
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概要
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シリコンウェーハは大直径を目指し,シリコンデバイスはより微細加工に焦点がある.両者の従来技術はここにきて限界がみえ始め,技術革新が求められている.ウェーハ加工において機械的加工では結晶に損傷を与える.一方,化学的加工では損傷は除去できるが,形状精度を劣化させる.これらの課題に対して本文では二つの新しい加工技術(延性モード研削とプラズマエッチ)の可能性を紹介する.更にこれらの技術を駆使してデバイスの理想構造とよばれるSOIウェーハを2枚のウェーハのはり合せによって形成できることを述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
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