木村 雅規 | 信越半導体(株)半導体磯部研研究所

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• 吉澤 健

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著作論文

• シリコン融液中酸素濃度変動のルツボ回転速度依存性
• FZ結晶の成長縞とメルト対流の関係 : バルク成長 III 融液物性
• HMCZ 法による12"φSi 単結晶の育成 : バルク成長 II チョコラルスキー法
• 8"φHMCZ-Si単結晶の特性 : バルク成長シンポジウムI
• 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット生成(III) : 融液成長VI
• 垂直磁場印加(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成 : 融液成長V
• 29aA11 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成(IV)(融液成長V)
• FZシリコン単結晶中のA欠陥とD欠陥(ことばの泉)
• FZ法シリコン単結晶中の成長縞のエッチング法観察と電気抵抗率の関係 : 評価

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