8"φHMCZ-Si単結晶の特性 : バルク成長シンポジウムI
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1995-07-10
著者
-
木村 雅規
信越半導体
-
木村 雅規
信越半導体(株)半導体磯部研研究所
-
山岸 浩利
(株)スーパーシリコン研究所
-
高野 清隆
スーパーシリコン研究所
-
飯野 栄一
信越半導体(株)半導体磯部研研究所
-
高野 清隆
信越半導体(株)
-
山岸 浩利
信越半導体(株)
関連論文
- シリコン単結晶引き上げ装置用高温超電導マグネットの開発現状
- 「21世紀を担うバルク単結晶」特集にあたって
- 高重量Si単結晶保持部の高温引張試験 : バルク成長I
- CZ法シリコン単結晶引上げ時の電力削減 (特集:あるべき半導体産業資源回生--シリコン関連)
- カスプ磁場印加CZ法による400mmシリコン結晶育成用大型石英ルツボの熱環境予測(バルク成長分科会特集 : シリコン結晶の最近の話題から)
- 大口径400mm結晶の開発
- 第2回結晶成長モデリング国際ワークショップに参加して
- シリコン融液中酸素濃度変動のルツボ回転速度依存性
- FZ結晶の成長縞とメルト対流の関係 : バルク成長 III 融液物性
- HMCZ 法による12"φSi 単結晶の育成 : バルク成長 II チョコラルスキー法
- 8"φHMCZ-Si単結晶の特性 : バルク成長シンポジウムI
- 27pA6 CZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動と平衡偏析係数(バルク結晶成長シンポジウムIII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- CZシリコン結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動(バルク結晶の成長(I))
- HMCZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動 : 融液成長VI
- シリコン融液表面の直按観察 : 融液成長V
- 石英隔壁侵潰による酸素濃度への影響 : 融液成長V
- 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット生成(III) : 融液成長VI
- 垂直磁場印加(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成 : 融液成長V
- 29aA11 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成(IV)(融液成長V)
- FZシリコン単結晶中のA欠陥とD欠陥(ことばの泉)
- FZ法シリコン単結晶中の成長縞のエッチング法観察と電気抵抗率の関係 : 評価
- as-grownシリコン単結晶中のフローパターンが結晶品質に与える影響 : 融液成長V
- シリコン単結晶中のD欠陥評価法の開発と結晶育成条件との対比への応用 : シンポジウムI
- シリコン融液表面の対流直接観察(バルク成長)
- MCZ法シリコン単結晶中の成長縞に対するるつぼ回転の影響 : 融液成長IV