CZシリコン結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動(<特集>バルク結晶の成長(I))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Interstitial oxygen (Oi) striations in Czochralski grown silicon single crystals have been investigated by using a micro-Fourier transform infrared microscopy (micro-FTIR) mapping system. Oi striations are quantitatively measured, and Oi micro-distribution profiles exhibit irregularity. Their peak-to-valley vallues are reduced by decreasing the crucible rotation in a horizontal magnetic field of 0.3 T. Their periodic intervals are synchronized with the doped phosphorus concentration only when a magnetic field is applied and the seed rotation rate is set at less than 1 rpm. The origin of this periodic interval is discussed in terms of a microscopic segregation effect, whose coefficient for oxygen is proposed to be less than unity.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1993-06-25
著者
-
布施川 泉
信越半導体(株)白河工場
-
山岸 浩利
(株)スーパーシリコン研究所
-
飯野 栄一
信越半導体(株)半導体磯部研研究所
-
山岸 浩利
信越半導体(株)
-
布施川 泉
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
布施川 泉
信越半導体
関連論文
- 強磁場中での半導体シリコン単結晶の製造
- 「21世紀を担うバルク単結晶」特集にあたって
- 高重量Si単結晶保持部の高温引張試験 : バルク成長I
- カスプ磁場印加CZ法による400mmシリコン結晶育成用大型石英ルツボの熱環境予測(バルク成長分科会特集 : シリコン結晶の最近の話題から)
- 大口径400mm結晶の開発
- シリコン融液中酸素濃度変動のルツボ回転速度依存性
- HMCZ 法による12"φSi 単結晶の育成 : バルク成長 II チョコラルスキー法
- 8"φHMCZ-Si単結晶の特性 : バルク成長シンポジウムI
- 27pA6 CZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動と平衡偏析係数(バルク結晶成長シンポジウムIII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- CZシリコン結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動(バルク結晶の成長(I))
- HMCZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動 : 融液成長VI
- シリコン融液表面の直按観察 : 融液成長V
- 石英隔壁侵潰による酸素濃度への影響 : 融液成長V
- 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット生成(III) : 融液成長VI
- 垂直磁場印加(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成 : 融液成長V
- 29aA11 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成(IV)(融液成長V)
- FZ法シリコン単結晶中の成長縞のエッチング法観察と電気抵抗率の関係 : 評価
- as-grownシリコン単結晶中のフローパターンが結晶品質に与える影響 : 融液成長V
- シリコン単結晶中のD欠陥評価法の開発と結晶育成条件との対比への応用 : シンポジウムI
- シリコン融液表面の対流直接観察(バルク成長)
- MCZ法シリコン単結晶中の成長縞に対するるつぼ回転の影響 : 融液成長IV
- 5p-A3-7 CZシリコン結晶の成長速度および温度勾配の点欠陥に与える影響