布施川 泉 | 信越半導体
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概要
関連著者
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布施川 泉
信越半導体
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布施川 泉
信越半導体(株)白河工場
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山岸 浩利
(株)スーパーシリコン研究所
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山岸 浩利
信越半導体(株)
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布施川 泉
信越半導体(株)半導体磯部研究所
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飯野 栄一
信越半導体(株)半導体磯部研研究所
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高野 清隆
スーパーシリコン研究所
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高野 清隆
信越半導体(株)
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太田 友彦
信越半導体(株)白河工場
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長澤 繁
信越半導体(株)白河工場
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藤巻 延嘉
信越半導体株式会社半導体磯部研究所
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藤巻 延喜
信越半導体(株)半導体研究所
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柄沢 幸男
信越半導体・半導体磯部研
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阿部 孝久
信越半導体
著作論文
- 強磁場中での半導体シリコン単結晶の製造
- 27pA6 CZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動と平衡偏析係数(バルク結晶成長シンポジウムIII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- CZシリコン結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動(バルク結晶の成長(I))
- HMCZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動 : 融液成長VI
- シリコン融液表面の直按観察 : 融液成長V
- 石英隔壁侵潰による酸素濃度への影響 : 融液成長V
- as-grownシリコン単結晶中のフローパターンが結晶品質に与える影響 : 融液成長V
- シリコン単結晶中のD欠陥評価法の開発と結晶育成条件との対比への応用 : シンポジウムI
- シリコン融液表面の対流直接観察(バルク成長)
- MCZ法シリコン単結晶中の成長縞に対するるつぼ回転の影響 : 融液成長IV
- 5p-A3-7 CZシリコン結晶の成長速度および温度勾配の点欠陥に与える影響