大口径400mm結晶の開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
スーパーシリコン研究所は1996年3月に超大口径シリコンウェ-ーハ生産の要素技術の確立を目的として設立された。研究期間は約5年で、研究費総額は134億円を予定している。研究開発項目は、4G DRAM相当以上のULSIデバイスを想定したシリコン単結晶成長、ウェーハ製造技術およびシリコンエピタキシャル成長技術である。現行シリコンウェーハの主力サイズは200mmであり、2000年前後には300mmが採用される。SSiの設立目的は、ポスト300mmの超大口径シリコンウェーハ生産の要素技術を目的としたもので、400mmウェーハをターゲットとしている。本報告では、SSiにおいて先行して開発を進めている結晶成長技術を主体にして技術開発目標と課題について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-26
著者
-
山岸 浩利
(株)スーパーシリコン研究所
-
白石 裕
スーパーシリコン研究所
-
蔵本 誠
スーパーシリコン研究所
-
町田 倫久
スーパーシリコン研究所
-
高野 清隆
スーパーシリコン研究所
-
高瀬 伸光
スーパーシリコン研究所
-
飯田 哲広
スーパーシリコン研究所
-
松原 順一
スーパーシリコン研究所
-
白石 裕
(株)スーパーシリコン研究所第1研究室
-
高野 清隆
(株)スーパーシリコン研究所第1研究室
-
町田 倫久
(株)スーパーシリコン研究所第1研究室
-
蔵本 誠
(株)スーパーシリコン研究所第1研究室
-
松原 順一
(株)スーパーシリコン研究所第1研究室
-
飯田 哲広
(株)スーパーシリコン研究所第1研究室
-
高瀬 伸光
(株)スーパーシリコン研究所第1研究室
関連論文
- 「21世紀を担うバルク単結晶」特集にあたって
- 高重量Si単結晶保持部の高温引張試験 : バルク成長I
- CZ法シリコン単結晶引上げ時の電力削減 (特集:あるべき半導体産業資源回生--シリコン関連)
- カスプ磁場印加CZ法による400mmシリコン結晶育成用大型石英ルツボの熱環境予測(バルク成長分科会特集 : シリコン結晶の最近の話題から)
- 大口径400mm結晶の開発
- 第2回結晶成長モデリング国際ワークショップに参加して
- HMCZ 法による12"φSi 単結晶の育成 : バルク成長 II チョコラルスキー法
- 8"φHMCZ-Si単結晶の特性 : バルク成長シンポジウムI
- 27pA6 CZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動と平衡偏析係数(バルク結晶成長シンポジウムIII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- CZシリコン結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動(バルク結晶の成長(I))
- HMCZシリコン単結晶中の格子間酸素濃度のミクロ変動 : 融液成長VI
- シリコン融液表面の直按観察 : 融液成長V
- 石英隔壁侵潰による酸素濃度への影響 : 融液成長V
- 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット生成(III) : 融液成長VI
- 垂直磁場印加(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成 : 融液成長V
- 29aA11 縦磁場印加FZ(VMFZ)法によるSi単結晶中のファセット形成(IV)(融液成長V)
- FZ法シリコン単結晶中の成長縞のエッチング法観察と電気抵抗率の関係 : 評価
- as-grownシリコン単結晶中のフローパターンが結晶品質に与える影響 : 融液成長V
- シリコン単結晶中のD欠陥評価法の開発と結晶育成条件との対比への応用 : シンポジウムI
- シリコン融液表面の対流直接観察(バルク成長)
- MCZ法シリコン単結晶中の成長縞に対するるつぼ回転の影響 : 融液成長IV