CZ法シリコン単結晶引上げ時の電力削減 (特集:あるべき半導体産業資源回生--シリコン関連)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 半導体基盤技術研究会の論文

著者

• 白石 裕

  スーパーシリコン研究所

• 高野 清隆

  スーパーシリコン研究所

• 飯田 哲広

  スーパーシリコン研究所

関連論文

• 高重量Si単結晶保持部の高温引張試験 : バルク成長I
• CZ法シリコン単結晶引上げ時の電力削減 (特集:あるべき半導体産業資源回生--シリコン関連)
• カスプ磁場印加CZ法による400mmシリコン結晶育成用大型石英ルツボの熱環境予測(バルク成長分科会特集 : シリコン結晶の最近の話題から)
• 大口径400mm結晶の開発
• 第2回結晶成長モデリング国際ワークショップに参加して
• HMCZ 法による12"φSi 単結晶の育成 : バルク成長 II チョコラルスキー法
• 8"φHMCZ-Si単結晶の特性 : バルク成長シンポジウムI
• シリコン融液表面の直按観察 : 融液成長V
• 石英隔壁侵潰による酸素濃度への影響 : 融液成長V

スポンサーリンク