高重量Si単結晶保持部の高温引張試験 : バルク成長I
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概要
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Tensile test of Si subsidiary cone was investigated up to 1073 K The temperature of Si subsidiary cone at certain crystal weight up to 400 kg during CZ crystal growth was also calculated by global heat transfer numerical simulation. We obtained that we can sustain a CZ growing Si crystal up to 400 kg by a safety factor of 2.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
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山岸 浩利
(株)スーパーシリコン研究所
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白石 裕
スーパーシリコン研究所
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山岸 浩利
スーパーシリコン研究所
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蔵本 誠
スーパーシリコン研究所
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町田 倫久
スーパーシリコン研究所
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高野 清隆
スーパーシリコン研究所
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高瀬 伸光
スーパーシリコン研究所
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飯田 哲広
スーパーシリコン研究所
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松原 順一
スーパーシリコン研究所
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