大藤 徹 | 東京大学生産技術研究所

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概要

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関連著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 大藤 徹

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 杉井 信之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 南雲 俊治

  東京大学生産技術研究所

• 横山 弘毅

  東京大学生産技術研究所

• 下川 公明

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 堂前 泰宏

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 長友 良樹

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 井田 次郎

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 井田 次郎

  沖電気

• 横山 弘毅

  東京大学生産技術研究所:中央大学

• 杉井 信之

  (株)日立製作所 中央研究所

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著作論文

• VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価

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