現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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デバイスの微細化に伴い自己発熱効果の影響が顕著になり,集積回路の性能や信頼性を低下させることが懸念されている.そこで本研究では極微細領域での熱伝導機構を正しく理解することを目的に,フォノンのボルツマン輸送方程式を直接解くモンテカルロシミュレーションを開発し,熱伝導性が大きく低下するシリコン薄膜中の熱輸送を解析した.現実的フルバンド分散関係を考慮し,また適切なフォノン-界面散乱モデルをシミュレータに適用して極薄膜シリコンの熱伝導率の計算を行った結果,実験値との良好な一致を得ることが出来た.
- 2012-11-08
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