歪みSiのバンド構造の経験的擬ポテンシャル法による解析
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概要
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近年MOSFETのチャネルキャリア移動度を向上させる技術として、SiGe層上にSiをたい積する歪みシリコン技術が注目されているが、ホールに関するキャリア輸送のメカニズムはまだ完全に理解されていない。本研究では非局所擬ポテンシャル法により歪みシリコンのバンド計算を行い、ホールの輸送解析に必要なパラメータ(有効質量、バンドシフト量)と歪みの関係を調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-09-21
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
中辻 広志
大阪大学大学院 工学研究科 電子情報エネルギー工学専攻
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