極薄酸化膜の直接トンネリング電流計算における複素バンド構造モデルの重要性

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概要

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• MOSFETのゲート酸化膜を介した電子および正孔の直接トンネリング電流を数値計算し実験結果との比較を行った。1次元MOS系をシュレーディンガー方程式とポアソン方程式を自己無撞着に解くことでモデル化し、トランスファーマトリックス法による透過係数を用いてトンネル電流を算出した。その際用いるSiO_2の複素バンド構造に従来用いられてきた様々な近似モデルを適用し、それぞれの妥当性を検証した。さらに、強結合近似法を用いたバンド計算による結果と従来の簡易モデルとの比較も行った。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-09-21

著者

• 谷口 研二

  大阪大学 大学院 工学研究科

• 酒井 敦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• 森藤 正人

  大阪大学 工学部

• 酒井 敦

  大阪大学 工学部

• 鎌倉 良成

  大阪大学 工学部

• 鎌倉 良成

  大阪大学 大学院工学研究科

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