An Area-Efficient, Low-Power CMOS Fractional Bandgap Reference
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概要
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This paper proposes an area efficient, low power, fractional CMOS bandgap reference (BGR) utilizing switched-current and current-memory techniques. The proposed circuit uses only one parasitic bipolar transistor and built-in current source to generate reference voltage. Therefore significant area and power reduction is achieved, and bipolar transistor device mismatch is eliminated. In addition, output reference voltage can be set to almost any value. The proposed circuit is designed and simulated in 0.18µm CMOS process, and simulation results are presented. With a 1.6V supply, the reference produces an output of about 628.5mV, and simulated results show that the temperature coefficient of output is less than 13.8ppm/°C in the temperature range from 0°C to 100°C. The average current consumption is about 8.5µA in the above temperature range. The core circuit, including current source, opamp, current mirrors and switched capacitor filters, occupies less than 0.0064mm2 (80µm × 80µm).
- 2011-06-01
著者
-
Ido Toru
The Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
-
Ido Toru
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
-
Taniguchi Kenji
Osaka Univ. Suita‐shi Jpn
-
Okura Shunsuke
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
-
BOGODA APPUHAMYLAGE
Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University
-
Bogoda Appuhamylage
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
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