Phenomenological Model for Stress and Relaxation Processes of Resistance Drift in Magnetic Tunnel Junctions
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概要
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A phenomenological model for the resistance drift of AlOx-based magnetic tunnel junctions (MTJs) is proposed. The viscoelastic deformation of the MTJ system stressed under high-density current is modeled by considering the superposition of many Kelvin--Voigt components with various time constants. The model reproduces well the degradation and the recovery characteristics of the MTJ resistance observed in various stress experiments.
- 2011-04-25
著者
-
Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
-
Kamakura Yoshinari
Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan
-
Nakano Shinsuke
Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan
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