Molecular Dynamics Simulation of Heat Transport in Silicon Nano-structures Covered with Oxide Films
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概要
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We perform a series of molecular dynamics (MD) simulations to investigate the heat transport in Si nano-structures, while explicitly including oxide cover layers in the simulation system for the first time. The dependences of thermal diffusion velocity on the thicknesses of the SiO2 film and Si lattice are investigated. The results show that thermal diffusion velocity decreases with Si lattice thickness and does not depend on SiO2 film thickness.
- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2010-04-25
著者
-
Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
-
Zushi Tomofumi
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan
-
Kamakura Yoshinari
Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan
-
Iwao Ohdomari
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan
-
Takanobu Watanabe
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan
-
Yoshinari Kamakura
Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan
-
Kenji Taniguchi
Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University, Suita, Osaka 565-0871, Japan
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