オゾン添加超純水を用いたシリコンウエハ表面の有機物除去

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概要

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次世代の半導体デバイスの高性能化実現のためには、ウエハ表面を極限までウルトラクリーンにすることが必要不可欠である。特に、ウエハに与えるダメージが少なく、低温で処理が可能であることから、現在でもウェットプロセスが広く採用されている。RCA洗浄において、有機物分子除去に用いられている硫酸過酸化水素洗浄(SPM)は、薬品を使用することや処理が高温であることから、廃液処理、操作性に問題がある。一方、オゾン添加超純水洗浄は、常温処理であり、さらに低濃度オゾンを使用していることから、廃液処理が必要とならない。オゾン超純水を使った有機物除去は、洗浄プロセスの低温化だけでなく、操作性の向上、廃液処理のクローズドシステムの実現も可能にする。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-04-22

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