山本 幸太郎 | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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概要
関連著者
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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江川 孝志
名古屋工業大学
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山本 幸太郎
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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松井 慎一
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
著作論文
- 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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