P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
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概要
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- 2012-01-04
著者
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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田中 毅
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック株式会社 先端技術研究所
-
山田 康博
パナソニック株式会社
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社
-
村田 智洋
パナソニック株式会社
-
按田 義治
パナソニック株式会社
-
海原 一裕
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
山田 康博
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
海原 一裕
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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