バイアス回路とエミッタインダクタの偶奇モードインピーダンス差を利用した低歪み、低雑音増幅器(マイクロ波関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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バイアス回路およびエミッタインダクタの偶奇インピーダンス差を用いた低歪み、低雑音増幅器を提案した。まずRF増幅器の等価回路モデルを用いて、差周波におけるバイアス回路の抵抗値および2倍高調波のエミッタインダクタンス値を小さくしたときに出力IP3が改善することを説明した。その実現のためにキャリア周波数信号に相当する奇モードの抵抗値は高く、差周波信号に相当する偶モードの抵抗値の低いバイアス回路を提案した。さらにエミッタのボンディングワイア長を変化させることにより、差動インダクタの偶モードインダクタンス値を調整できることを見出し、エミッタインダクタの偶奇モードインピーダンスの差を積極的に利用することによって一層の低歪み化が可能であることを示した。これらの回路設計は電力利得、雑音指数にほとんど影響を与えない。0.18μm SiGe BiCMOSプロセスを用いて2GHz帯の提案差動増幅器を試作し、電力利得>18dB、雑音指数<1.7dBの場合に従来回路と比較して出力IP3が3.8dB改善することを示した。
- 2007-07-26
著者
-
小川 晃一
松下電器産業株式会社ネットワーク開発センター
-
中谷 俊文
松下電器産業株式会社ネットワーク開発センター
-
小川 晃一
松下電器産業
-
中谷 俊文
松下電器産業株式会社デバイス工法開発研究所
-
中谷 俊文
松下電器産業株式会社 ネットワーク開発センター
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