SBT系強誘電体LSMCDの薄膜の現状
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
強誘電体メモリー(FeRAM)はSrBi_2Ta_2O_9(SBT)系ビスマス層状ペロブス力イトの強誘電体材料技術、強誘電体/半導体集積化技術の飛躍的な進歩により、低電圧かつ不揮発性の特長を生かしてICカード応用から商品化が始まっている。高集積化の鍵となる強誘電体成膜技術として、LSMCD(Liquid Source Misted Chemical Deposition)技術の開発に成功した。高信頼性の70nmのSBTN超薄膜を使用したFeRAMを製作し、0.7Vまで動作させることを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-15
著者
-
大槻 達男
松下電子工業(株)電子総合研究所第三研究部
-
林 慎一郎
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
-
嶋田 恭博
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
-
藤井 英治
松下電子工業株式会社 技術本部 電子総合研究所
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
嶋田 恭博
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
大槻 達男
松下電子工業株式会社 技術本部電子総合研究所
-
大槻 達男
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
関連論文
- 強誘電体LSIの開発
- SBT系強誘電体LSMCDの薄膜の現状
- SBT系強誘電体LSMCD薄膜の現状
- 強誘電体薄膜作製技術とデバイス応用
- 3V駆動でアクセス時間100nsの256Kb強誘電体不揮発性メモリ
- 2-9 2/3インチ130万画素FIT-CCD撮像素子
- 4-7 小型LCD用ポリシリコン画素電極
- 0.18umFeRAM混載システムLSI(新型不揮発性メモリー)
- SrBi_2Ta_2O_9強誘電体キャパシタの集積化プロセス
- 4-1 小型液晶ディスプレイ用Poly-Si・TFT集積回路
- SOI構造撮像素子 : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
- HDTVカメラ用1258(H)×1035(V)画素FIT-CCD撮像素子
- 11)130万画素FIT CCD撮像素子(〔テレビジョン方式・回路研究会 テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- 130万画素FIT CCD撮像素子
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(シリコン関連材料の作製と評価)
- Guest Paper 松下電器産業による寄稿 混載FeRAMの微細化にメド +1.1V動作の0.18μm品を量産へ--キャパシタの完全被覆で実現
- 強誘電体メモリ技術 (特集/メモリデバイス) -- (半導体メモリ)
- 小型CCD撮像素子
- 3-9 小型CCD撮像素子におけるPウェル構造
- 強誘電体メモリ技術とその応用
- 0.9Vマイクロコントローラ搭載用強誘電体メモリ
- 台形関数と参照ベクトルを用いた学習モデル
- 強誘電体メモリを用いたReconfigurable Logicとその性能評価
- 強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性
- 高信頼性強誘電体メモリー技術
- 強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性