高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
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概要
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高密度低消費電力の1Mビット混載強誘電体メモリを開発した。プロセス技術としては、強誘電体キャパシタを水素バリア膜で完全に被覆し、水素による強誘電体分極特性の劣化を防止する水素バリア完全被覆技術を用い、回路技術としては、リフレッシュ動作不要のプレート固定回路技術で高集積化を実現し、選択駆動ビット線方式で低消費電力を実現した。これらのメモリセルアーキテクチャーにより、従来に比べメモリコアサイズを53%、消費電力を1/50とし、1.5V低電圧動作、メモリセル0.75V動作を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-08
著者
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平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
平野 博茂
松下電器産業株式会社
-
平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
-
五寶 靖
松下電器産業株式会社半導体社システムLSI開発本部
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
三木 隆
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
坂上 雅彦
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
中熊 哲治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
山岡 邦吏
松下電器産業株式会社 半導体社 システムLSI開発本部
-
岩成 俊一
松下電器産業株式会社 半導体社 システムLSI開発本部
-
村久木 康夫
松下電器産業株式会社 半導体社 システムLSI開発本部
-
五寶 靖
松下電器産業株式会社 半導体社 システムlsi開発本部
-
藤井 英治
松下電器産業 システムlsi開発本部
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