新メッシュ構造および裏打ちめっき層による電源配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
チップ内部での電圧降下を低減するために、膜厚が異なる配線から構成されるメッシュ電源配線における電圧降下の方向依存性を解消する新メッシュ配線および配線を低抵抗化する電源配線上Niめっき裏打ち構造を開発した。また、電源配線上と同時にパッド上にNi無電解めっきを形成した構造のアセンブリ応力緩和効果を確認した。これらの構造でチップ内部での電源配線の電庄降下を20%低減化できることと、Low-k膜やTr.にかかるアセンブリ応力をグローバル配線1層構造比で7%にまで(-93%)低減できることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-02-02
著者
-
伊藤 豊
Istec
-
小池 功二
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
伊藤 豊
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
太田 行俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
石川 和弘
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
伊藤 史人
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
柄谷 周子
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
西尾 太一
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
-
伊藤 豊
国立病院災害医療センター消化器乳腺外科
関連論文
- 28a-K-12 Cu-NQR法でみたLa_Sr_XCuO_4系等における局所的ランダムネス効果
- La214系におけるスピンギャップ的ふるまい
- La214系の高温領域のCu-T_1の組成依存性
- 4p-YE-4 Tl_2Ba_2CuO_の混合状態における渦糸格子のNMRによる観測
- 21aTJ-6 Hg 1201 の Zn 置換効果 : 帯磁率と Cu NQR
- 21aPS-41 希薄ホールドープ La_Sr_xCuO_4 の反強磁性における不純物効果
- 29aWA-2 YBCO 中の Zn 近傍の Cu NQR
- 28aPS-23 La_Sr_xCuNi_yO_4 単結晶の磁性及び輸送特性
- 20pYA-8 磁気混入物によるMB_2(M=Mg, AL, Ti, Ta. Zr)の強磁性
- 19pTE-15 La_Sr_xCu_O_4へのNiおよびZn置換によるネール温度の変化
- 19pTE-8 不純物置換したYBa_2Cu_M_xO_ (M=Ni, Zn)のCu NQR研究
- 28pPSA-17 La_Sr_xCu_Ni_yO_4単結晶のラマン散乱
- 27pXB-3 Cu_Mg_xGeO_3系におけるCu NQR
- YBa_2Cu_4O_8中のNi不純物による核スピン格子緩和 : スピン擬ギャップ中の磁性不純物(低次元量子スピン系(無機系・実験)の最近の展開1)
- 24aZJ-8 サイト変調型乱雑系Y(Ba_Sr_x)_2Cu_4O_8のCu NQR研究
- 25pYS-7 Cu NQR核スピン格子緩和から見たYba_2(Cu_Zn_x)_4O_8の非磁性不純物Zn置換効果の研究
- 31p-K-1 CuNQR法を用いたYBCO系の不純物効果の研究の新展開
- 26a-YF-12 YBa_2(Cu_M_x)_4O_8(M=Ni, Zn)の不純物誘起緩和と伝導電子による核スピン格子緩和のCu NQR研究
- 28a-K-11 HgBa_2CuO_のNMR
- 28P-N-2 低次元スピン系のNMR
- Bilayer HgBa_2CaCu_2O_(T_c〜127K)のCu NMR
- High-T_c Cu Oxides の平面Cuサイトの1/T_1の異方性
- 2a-PS-4 CuSのCu NQR/NMR
- 28p-YL-12 横緩和から見た高温超伝導体の磁気的性質
- 3a-Y-9 CuOのNQR
- 新メッシュ構造および裏打ちめっき層による電源配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- アセンブリ応力によるトランジスタ特性変動定量化技術と応力緩和構造(シリコン関連材料の作製と評価)
- 0.18umFeRAM混載システムLSI(新型不揮発性メモリー)
- 2V/100ns 1T/1C強誘電体メモリアーキテクチャー
- 狭窄に起因するバスキュラーアクセス血栓性閉塞に対する外科的治療とインターベンション治療の比較
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー
- 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(シリコン関連材料の作製と評価)
- 溶液成長法によるAlN単結晶の育成(基板結晶)
- 29p-ZC-6 YBCO系及び関連物質の銅核スピンの横緩和
- 強誘電体メモリ技術とその応用
- 0.9Vマイクロコントローラ搭載用強誘電体メモリ
- DRAMデータ保持時間分布の統計力学解析
- DRAMデータ保持時間分布の統計力学解析
- 強誘電体メモリ読出動作におけるワード線電圧の影響
- 強誘電体メモリにおけるプレートパルス駆動読出方式
- フラッシュEEPROMを搭載した2V 120nsec 動作 8bit/16bit マイクロコントローラ
- 低電圧高速フラッシュメモリ回路技術
- 低電圧フラッシュメモリにおける消去方式
- 29p-ZC-5 YBCOの超伝導状態におけるT_1のH_1依存性
- メモリデバイスにおける電荷再利用方式とその最適化
- PS-032-4 BCAA投与は肝硬変を伴う肝癌術後患者の治療期間を延長させる(PS-032 肝 肝細胞癌-4,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-104-5 膵頭十二指腸切除後の膵液瘻の対策と課題(PS-104 膵 合併症対策-2,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-098-4 中下部胆管癌切除例の長期生存に対する課題(PS-098 胆 悪性-2,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-022-4 大腸憩室炎の手術適応の検討 : 当科の適応基準(PS-022 消化管 手術適応,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-371-4 当科におけるイレウス手術症例の検討(PS ポスターセッション,第113回日本外科学会定期学術集会)