溶液成長法によるAlN単結晶の育成(<小特集>基板結晶)
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概要
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常圧窒素雰囲気下Cu-Al-Ti溶液からのAlN単結晶の成長挙動を調査した.1500-1600℃に保持した上記溶液を700-800℃冷却することで6H-SiC種結晶表面にAlNがエピタキシャルに核発生,成長することを確認した.成長速度は2μm/hrの程度であった.8μm厚さまで成長させたAlN膜中の転位密度は成長表面近傍で10^5/cm^2と小さい値であった.溶液中50℃/cmの温度勾配下に種結晶を静置することでもAlN単結晶の成長を確認した.この手法により連続的な成長が可能で10μm厚さのAlN単結晶を得ることができた.高分解能電子顕微鏡で観察したAlN/6H-SiC界面には異相などが無く,原子レベルの整合性は良好であった.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-03-31
著者
-
伊藤 豊
Istec
-
伊藤 豊
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
-
伊藤 豊
東京大学生産技術研究所
-
井上 茂
住友金属工業
-
亀井 一人
住友金属工業(株)エレクトロニクス研
-
井上 茂
住友金属工業(株)総合技術研究所
-
亀井 一人
住友金属工業(株)総合技術研究所
-
亀井 一人
住友金属工業株式会社エレクトロニクス技術研究所
-
亀井 一人
住友金属工業(株)総合研究センタ未来技術研究所
-
伊藤 豊
国立病院災害医療センター消化器乳腺外科
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