DRAMデータ保持時間分布の統計力学解析
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概要
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DRAMのメモリセルに蓄積されている電荷は, 蓄積電極につながる接合の空乏層中に存在するキャリアトラップから発生するSRH電流が原因で消失する. 同電流の大きさを決定するトラップ準位はメモリセル間のみならずセル内においても分布しており, データ保持時間分布の温度特性を支配している. 他方, 動作電圧が変化する場合にもデータ保持時間の分布幅が変化するが, これはSRH電流が空乏層中の電界により増倍されており, 電界強度がセル間で分布する結果増倍度も分布するために生ずる. したがって, リフレッシュ特性を改善するためには, 電界強度の平均値のみならずセル間の分布幅を低減することが重要である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-24
著者
-
伊藤 豊
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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平岩 篤
(株)日立製作所 半導体事業部
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小笠原 誠
(株)日立製作所 デバイス開発センター
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夏秋 信義
(株)日立製作所 デバイス開発センター
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伊藤 豊
(株)日立製作所 デバイス開発センター
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岩井 秀俊
(株)日立製作所 デバイス開発センター
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伊藤 豊
国立病院災害医療センター消化器乳腺外科
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