GaN系近紫外発光素子 : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
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概要
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We fabricated the GaN-based laser diodes (LDs) and evaluated these characteristics. Regarding the 400nm-LDs for digital versatile disks, we reported the new structure of LDS that was optimized for the mass production while meeting all other requirements. We fabricated the ultraviolet and blue LDS in order to broaden the emission wavelength. As the results, we were able to broaden the emission wavelength of the LDS ranging from 365nm to 480nm.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
向井 孝志
日亜化学工業
-
佐野 雅彦
徳島大学 高度情報化基盤センター
-
柳本 友弥
日亜化学工業
-
長浜 慎一
日亜化学工業(株)窒化物半導体研究所
-
佐野 雅彦
日亜化学工業(株)窒化物半導体研究所
-
坂本 恵司
日亜化学工業(株)第二部門窒化物半導体研究所
-
向井 孝志
日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所
-
佐野 雅彦
徳島大学総合情報処理センター
-
佐野 雅彦
日亜化学工業
-
森田 大介
日亜化学工業(株)第二部門窒化物半導体研究所
-
松村 拓明
日亜化学工業(株)第二部門窒化物半導体研究所
-
山本 正司
日亜化学工業(株)第二部門窒化物半導体研究所
-
三木 修
日亜化学工業(株)第二部門窒化物半導体研究所
-
長浜 慎一
日亜化学工業 窒化物半導体研
-
森田 大介
日亜化学(株)窒化物半導体研究所
-
松村 拓明
日亜化学工業(株)窒化物半導体研究所
-
長浜 慎一
日亜化学工業
-
森田 大介
日亜化学工業(株)窒化物半導体研究所
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