藤田 静雄 | 半導体エレクトロニクス部門委員会

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概要

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• 半導体エレクトロニクス部門委員会の論文著者

関連著者

• 藤田 静雄

  半導体エレクトロニクス部門委員会

• 藤田 静雄

  京都大学国際融合創造センター

• 西中 浩之

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科

• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科電子工学

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 川原村 敏幸

  高知工科大学 ナノデバイス研究所

• 西中 浩之

  京都大学大学院工学研究科化学工学専攻

• 藤田 静雄

  京都大学大学院

• 谷垣 昌敬

  京都大学国際融合創造センター

• 森山 匠

  京都大学大学院工学研究科電子工学

• 川原村 敏幸

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 亀谷 圭介

  京都大学国際融合創造センター

• 増田 喜男

  セラミックフォーラム(株)関西事務所

• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科

• 藤田 静雄

  半導体エレクトロニクス部門委員長

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著作論文

• 気相法による酸化亜鉛半導体薄膜のステップフローホモエピタキシャル成長
• バルクZnO基板の特性とホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
• ファインチャネルミスト法によるZnO透明薄膜の作製とその特性(半導体エレクトロニクス)
• ミストCVD法の薄膜作製におけるファインチャネルおよび衝突混合の効果
• 半導体エレクトロニクス特集号の刊行にあたって(半導体エレクトロニクス)
• 半導体ナノ構造の自己形成とその制御 : 酸化亜鉛半導体ナノドットを例に
• 光CVDによる電子薄膜材料の作製 (光に反応する新しい工業材料--その開発と利用の現状)
• タイトル無し
• タイトル無し

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