秩父 重英 | 筑波大物工

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概要

• 同名の論文著者
• 筑波大物工の論文著者

関連著者

• 秩父 重英

  筑波大物工

• 宗田 孝之

  早稲田大学理工学術院

• 秩父 重英

  筑波大物理工

• 宗田 孝之

  早大理工

• 羽豆 耕治

  東北大学多元物質科学研究所

• 羽豆 耕治

  早大理工

• 足立 智

  北大工

• 鈴木 克生

  早大理工

• 尾沼 猛儀

  東北大学多元物質科学研究所

• 宗田 孝之

  早稲田大学

• 足立 智

  京大理

• 足立 智

  京都大学:日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学系

• 向井 孝志

  日亜化学工業

• 秩父 重英

  東北大学多元物質科学研究所

• DENBAARS Steven

  Electrical and Computer Engineering Department, University of California

• Denbaars Steven

  Jst-erato中村pj:ucsb

• Denbaars Steven

  Materials Department University Of California

• 中村 修二

  Jst-erato中村pj:ucsb

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 奥村 元

  産総研

• 鳥井 康介

  早大理工

• 秩父 重英

  筑波大学物理工学系

• 黒田 剛正

  早稲田大学理工学部

• 尾沼 猛儀

  筑波大学物理工学系

• 北村 寿朗

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 竹内 淳

  早稲田大学理工学部

• DenBaars Steven

  Department of Materials Engineering, University of California

• 中村 修二

  科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト

• 竹内 淳

  早稲田大 理工

• 奥村 元

  産業技術総合研

• 山本 直紀

  東工大理工

• 北村 寿朗

  東理大

• Denbaars Steven

  Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California

• DenBaars Steven

  Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.

• 秩父 重英

  筑波大院電子物理工&21COE

• 鈴木 智士

  筑波大院電子物理工&21COE

• 野坂 大樹

  筑波大院電子物理工&21COE

• 杉山 睦

  筑波大院電子物理工&21COE

• 尾沼 猛儀

  科技機構創造中村P

• 知京 豊裕

  物材機構

• 上殿 明良

  筑波大院電子物理工&21COE

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 山本 直紀

  東工大理

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 中村 修二

  日亜化学工業(株)第二部門開発部

• 山本 直紀

  東工大院理工:jst-crest

• 八木 駿郎

  北大電子研

• 武貞 正樹

  北大電子研

• 杉山 睦

  筑波大院電子物理工&21coe:(現)東京理科大学理工学部電気電子情報工学科

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 野坂 大樹

  筑波大院電子物理工&21coe

• 鈴木 智士

  筑波大院電子物理工&21coe

• 池田 大勝

  早大理工

• 大島 進

  早大理工

• 秩父 重英

  筑波大電子・物理工&21COE

• Haskell B.A.

  JST-ERATO中村PJ

• Speck J.S.

  JST-ERATO中村PJ

• DenBaars S.P.

  JST-ERATO中村PJ

• 中村 修二

  JST-ERATO中村PJ

• 秩父 重英

  国立大学法人筑波大学 大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻

• Speck J.s.

  Jst-erato中村pj:ucsb

• Haskell B.a.

  Jst-erato中村pj:ucsb

• 向井 孝志

  日亜化学

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 三田 朋宏

  東工大総理工

• 堀内 大吾

  東工大理工

• Grillo V.

  東工大理工

• 伊東 洋嗣

  東工大理

• 三田 朋宏

  東工大理

• DenBaar S.

  Univ. California Santa Barbara

• 秩父 重英

  東北大多元研

• 小豆畑 敬

  弘前大理工

• 鹿内 周

  京大VBL

• Criila V.

  東工大理工

• 八木 駿郎

  北大応電研

• 伊東 洋嗣

  東工大理工

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著作論文

• 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 28aPS-18 c面およびa面GaNにおける励起子の緩和ダイナミクス(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• II-VI族酸化物半導体ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル : III-V族窒化物半導体GaNとの類似点と相違点
• 30aPS-24 2光子吸収制御によるZnO励起子分子生成(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 28pXQ-3 ZnOにおけるC励起子領域での四光波混合シグナル(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
• 20aWB-2 ZnO における四光波混合シグナルの温度依存性
• 28pYF-8 ZnO における価電子帯オーダリング
• 28pYF-7 ZnO における四光波混合
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 24pYP-8 TEM-CL法によるGaN結晶中の格子欠陥評価
• 非極性面窒化物半導体発光素子の最近の動向 (特集 発光材料の新展開)
• 6aSK-5 ZnOにおけるブリルアン散乱(フォノン物性,領域10)
• 7aSG-4 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(2)(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
• 7aSG-5 GaNでの励起子・励起子分子ダイナミクス(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
• 25aXR-9 TEM-CL法によるInGaN層の発光と格子欠陥II(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• 24aYE-8 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(24aYE 励起子・ポラトリン,領域5(光物性分野))
• 24aWJ-7 GaN成長膜における格子欠陥の発光特性評価(24aWJ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

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