立方晶3族窒化物半導体量子構造のMBE成長と評価 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 3J1-3 超音波マイクロスペクトロスコピー技術を用いた4H-SiC単結晶の評価(超音波物性・光超音波)
- シリコンカーバイドおよび関連材料に関する国際会議2007報告
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 21pYC-3 GaN(0001) 結晶成長時における Si 原子の役割と振る舞いの理論解析
- 18aA02 立方晶III族窒化物MBEエピタキシャル成長における構造欠陥の発生と制御(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 立方晶3族窒化物半導体量子構造のMBE成長と評価 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
- 立方晶および六方晶GaNエピタキシャル層における自由励起子スペクトル (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)
- シリコンカーバイド及び関連材料に関する国際会議報告