3p-S-5 Ni(110)表面吸着水素の昇温脱離
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1985-09-13
著者
-
渡邊 佳英
(株) 豊田中央研究所
-
渡辺 佳英
阪大 基礎工
-
渡邊 佳英
(株)豊田中央研究所
-
竹内 淳
早稲田大学理工学部
-
竹内 淳
早大
-
吉森 昭夫
岡山理大工
-
吉森 昭夫
阪大基礎工
-
竹内 淳
阪大基礎工
-
渡辺 佳英
阪大基礎工
-
渡辺 佳英
大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性学分野
-
Watanabe Yoshihide
Toyota Central R&d Labs. Inc.
関連論文
- 基板上原子数制御クラスターと触媒表面化学 (特集 ナノ粒子の構造と機能化)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 金属修飾した熱処理セピオライトの触媒特性 (2)
- 金属修飾した熱処理セピオライトの触媒特性 (1)
- B12 金属修飾した熱処理セピオライトの触媒特性(2)
- B11 金属修飾した熱処理セピオライトの触媒特性(1)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 半導体量子ドット間の反強磁性結合による電子スピンの反転(最近の研究から)
- LQE2000-19 結合量子ドット間のトンネル時間の直接測定
- 28p-ZH-2 GaAs/AlGaAs量子井戸中のピコ秒励起子スピン緩和
- GaAs量子井戸におけるスピン緩和機構II
- 30a-E-4 Auger中性化確率の平行速度依存性II
- 4a-PS-13 Auger中性化確率の平行速度依存性
- 5a-W-9 Auger中性化過程の内挿式
- 30a-E-3 W(001)表面の再構成相転移に関する計算機実験
- 30a-P-9 1次元周期的アンダーソンモデルへの繰込み群の応用II
- 28p-D-10 時間に依存するNewns-Andersonモデルへの数値的くりこみ群の計算
- 1次元周期的Anderson模型への繰り込み群の応用(Anderson Modelの厳密解とその応用に関する理論的研究,科研費研究会報告)
- 3a-G-3 1次元周期的アンダーソンモデルへの繰込み群の応用
- 時間に依存するニューンズ・アンダーソン模型(アンダーソンモデルの厳密解とその応用に関する理論的研究,科研費研究会報告)
- 2p-E-5 時間に依存するNewns-AndersonモデルのHartree-Fock解 : エネルギー散逸
- 1a-RJ-8 時間に依存したNewns-Anderson modelのHartreeFock解II
- 基板上原子数制御クラスターと触媒表面化学
- 2p-H-15 ネスティングモデルにおける交番帯磁率
- 8a-M-11 Half-filled Hubbard Modelにおいて出現する反強磁性相-クーロン相互作用が強い極脹からの展開
- 反強磁性共鳴モードなどによる中性子の磁気的散漫散乱 : 中性子回析に関するシンポジウム
- らせん型反強磁性のバンド理論 : 物性基礎論
- 或る種の酸化金属の電気伝導 : 統計力学
- 28a-WC-11 金属表面-準安定希ガス原子系での価数揺動状態の高次摂動展開
- 24a-PS-16 高速イオン散乱の計算機実験によるW(001)室温相の変位分布
- 4a-PS-32 Si(111)7×7表面DAS模型の電子構造
- 5p-W-9 ステップのあるW(100)再構成相転移
- 5a-T-1 Si(111)再構成表面の電子状態-5×5構造
- 5p-B4-1 表面新物質相
- 28a-P-3 金属表面の遮蔽効果
- 26a-P-3 Si(111)再構成表面の電子構造
- 22. 合金系の高密度近藤状態(基研短期研究会「重い電子系の理論」報告,研究会報告)
- 29p-D-4 W(100)表面再構成と水素吸着
- 28p-D-6 昇温脱離の理論
- 27a-D-1 水素吸着W(100)の表面再構成
- 合金系の高密度近藤状態(Anderson Modelの厳密解とその応用に関する理論的研究,科研費研究会報告)
- 3p-S-5 Ni(110)表面吸着水素の昇温脱離
- 半導体量子井戸におけるスピン緩和のダイナミクス
- 半導体におけるスピン緩和を利用したピコ秒全光学スイッチング
- スピン緩和によるエタロンのピコ秒全光学スイッチング
- 緑色発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネッセンス測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 緑色発光ダイオードの時間分解エレクトロルミネッセンス測定(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 3p-LG-1 金属表面吸着水素のfriction coefficient
- スピン緩和現象の統計的理論 : 統計力学
- Pt/Fe熱処理セピオライト触媒 (特集:排気浄化用触媒)
- 選択還元型NOx触媒のシミュレーションと最適化(1)HC吸着を利用した選択還元型NOx触媒のモデリング
- 2p-E-14 W(001)表面再構成転移
- W(001)表面再構成と水素吸着の効果(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 11a-A-9 W(001)表面再構成と水素吸着 : 揺らぎの効果
- 3p-BE-3 W(001)表面における整合-不整合転移
- 1a-A-4 W(001)表面再構成と水素吸着の効果III
- 3a-NM-4 W(001)表面再構成と水素吸着 II
- 31a-J-12 W(100)表面再構成と水素吸着
- 日本の研究教育力の未来のために--競争的施策の課題 (特集 大学の困難)
- 人材育成・男女共同参画委員会2OO7年春のシンポジウム報告 : 公的研究費を考える-人材育成と国際競争力の視点から-
- 「旧帝大」重視の研究費、それが日本の弱点だ (逆風の中で生き残るのはどこか 本当に強い大学 2007年) -- (国立大学は変わったのか)
- 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
- 半導体B : 探索的材料・物性・デバイス
- ピアレビュー制度の公正さについて
- 科学通信 オピニオン 大学の公的研究費の日米構造比較
- 「競争力からみた大学改革論」の盲点 (今月のテーマ 私の大学改革論--現場からの発言)
- 半導体量子構造のスピン物性と電子スピンを用いた量子演算の可能性
- 大学の科学研究費の官民格差--日本の科学界のレベルアップのための構造的課題
- ピコ秒光半導体材料--トンネル双量子井戸(TBQ) (先端技術--′92富士通総合展)
- TBQ(トンネル双量子井戸)における励起子吸収の超高速回復 (超高速光エレクトロニクスの最前線) -- (超高速光非線形現象)
- 15.Ni(110)表面吸着水素系の格子振動と昇温脱離(大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性学分野,修士論文アブストラクト(1984年度))
- 28p-D-2 イオン吸着系の相関関数
- 3a-E-6 Ni(110)表面吸着水素の格子力学的解析
- 固体表面におけるパターン形成(強い相関をもつゆらぎの統計物理学(第2回),科研費研究会報告)
- 1a-RJ-7 時間に依存したNewns-Anderson modelのHartree-Fock解I
- "高濃度近藤系"の半現象論(V 高濃度近藤系の理論の現状と問題点,価数揺動状態をめぐる理論の現状,科研費研究会報告)
- 3p-BE-13 イオン散乱分光での格子振動の効果の解析
- 3p-BE-4 局在型先駆状態モデルでの付着確率
- 3p-BE-2 金属強磁性体表面・吸着子の理論
- 30p-BE-1 吸着子の動的挙動
- 1a-A-10 遍歴型先駆状態モデルでの付着確率
- 4p-NM-11 Precursor KinetiesでのSticking Probabilityに対する短距離秩序の効果
- 4a-U-9 チャネリング高速イオン後方散乱の計算 II 表面再構成のある場合
- 27. W(100),Ni(110)表面吸着水素の昇温脱離(大阪大学基礎工学研究科物理系専攻物性学分野,修士論文題目・アブストラクト(1986年度),その2)
- 28p-PSB-19 Si(100)2×1表面ステップ近傍のダイマー配列
- 31a-PS-18 Ru(001)上のPF_3ギアネットワークの回転状態III
- 7a-PS-35 Ru(001)上のPF_3ギアネットワークの回転状態II
- 29a-PS-49 Cu(111)上に吸着したベンゼン分子のSTM/STS
- 28p-PSB-9 Cu(100)-Li表面吸着系の励起スペクトル
- 28p-PSB-8 Si(111)-Au表面吸着系の相関関数
- 14a-DJ-7 Cu(100)表面吸着Liの短距離秩序
- 20. Newns-Andersonモデルについてのcomment(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
- 4次のスピン間相互作用とNiS_2の反強磁性構造
- A new optimizing technique of a diesel engine aftertreatment system using HC DeNo_x catalyst
- 斜め蒸着膜のミクロ構造(III)
- 31p-F4-6 金属表面の遮蔽効果II(表面・界面)
- 30a-LF-9 1次元周期的アンダーソンモデルへの繰込み群の応用III(磁性)
- 31a-F4-5 W(100)表面再構成の計算機実験(表面・界面)
- 3a-A1-6 時間に依存するNewns-AndersonモデルのHartree-Fock解 : 電荷移動(3a A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 28a-TJ-1 Si(111)7×7表面DAS模型に対する高速イオン散乱の計算機実験(28aTJ 表面・界面)