29p-PSB-5 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における光学フォノン(ATR法による界面フォノンの観測)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-03-16

著者

• 鈴木 克生

  早大理工

• 宗田 孝之

  早稲田大学理工学術院

• 小豆畑 敬

  早大理工

• 真野 匡司

  早大理工

• 小豆畑 敬

  早大 理工

• 宗田 孝之

  早大 理工

• 鈴木 克生

  早大 理工

• 真野 匡司

  早大 理工

関連論文

• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 28aPS-18 c面およびa面GaNにおける励起子の緩和ダイナミクス(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 15aTA-5 ビリルビンおよびビリルビンカルシウムに関する第一原理計算(生物物理, 領域 12)
• II-VI族酸化物半導体ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル : III-V族窒化物半導体GaNとの類似点と相違点
• 30aPS-24 2光子吸収制御によるZnO励起子分子生成(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 28pXQ-3 ZnOにおけるC励起子領域での四光波混合シグナル(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
• 20aWB-2 ZnO における四光波混合シグナルの温度依存性
• 28pYF-8 ZnO における価電子帯オーダリング
• 28pYF-7 ZnO における四光波混合
• 17pRE-7 GaNでの励起子間相互作用と励起子分子
• 17pRE-6 GaNにおける励起子の相互作用と位相緩和
• 29pYA-4 GaNにおける位相緩和ダイナミクス
• 27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
• カソードルミネッセンス法による量子微細構造の評価
• 7a-YC-12 CuAlSe_2の格子力学
• 29a-N-4 酸化物高温超伝導体の参照物質YBa_2Cu_3O_6の格子力学
• BN、AIN、GaNの弾性定数
• 31a-R-3 酸化物高温超伝導体の格子振動 : 酸素同位体効果
• 31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱
• 27p-PSB-17 テニオライトに包接されたローダミン6Gの配向 : 赤外分光法
• 27p-PSB-12 GaNのブリルアン散乱
• 27p-PSB-6 GaPの格子力学 : 2フォノン状態密度
• 27p-PSB-5 AINの格子力学
• 27p-PSB-4 酸化物高温超伝導体の格子振動 : シェルモデル
• 27p-PSB-3 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態V
• 29p-PSB-11 InGaN/GaN/Sapphireにおけるフォノンポラリトン
• 29p-PSB-10 GaNの格子力学
• 29p-PSB-9 GaNの光学フォノン
• 4p-PSB-10 CuAlS_2、CuAlSe_2の格子力学
• 4p-PSB-9 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノン : ラマン散乱
• 28p-PSA-10 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態IV
• 29p-PSB-6 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における1.2μm厚AlAs層からの2次ラマン散乱
• 29p-PSB-5 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における光学フォノン(ATR法による界面フォノンの観測)
• 29p-PSB-4 酸化物超伝導体 YBa_2Cu_3O_7 のフォノン分散
• 13p-PSB-5 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノンの観測 : ラマン散乱
• 13p-PSB-4 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における光学フォノン : 遠赤外吸収
• 望遠鏡の革命を支える電気関連技術
• 光スペクトルからメラノーマ鑑別指標を導出する方法の検討
• 29p-PSB-12 Rb_3H(SeO_4)_2のフォノン分散
• 3a-YF-5 Rb_3H(SeO_4)_2のラマン散乱
• 29a-YR-10 Rb_3H(SeO_4)_2中の水素の研究
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 28p-APS-43 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態III
• 30a-PS-13 La_2CuO_4のフォノン分散
• 4p-PS-5 Ge:Sb系における音速変化
• 3a-H-11 p-Siにおける超音波吸収の磁場によるクエンチング
• 半導体における超音波スピン共鳴 : 音波物性シンポジウム
• 13a-K-11 Geにおける超音波・スピン共鳴
• 30a-PS-21 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱III
• 28a-BPS-9 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱II
• 25p-PS-18 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱
• 平成13年度 春季講演会・シンポジウム報告
• 27a-PS-4 Ge:Sbにおける音速変化の磁場依存性II
• 1a-PS-4 Ge:Sbにおける音速変化の磁場依存性
• 2a-R-8 Li_3Nの分子動力学
• 1a-M-1 拡散のモンテカルロシミュレーション
• 2p-TC-14 AgI_Cl_xの分子動力学
• 3p-KE-10 Ag_3SIの分子動力学
• 12a-S-10 銀カルコゲナイドの分子動力学
• 11a-PS-5 [100]磁場下に於ける、Ge:Pでのヒートパルス散乱
• 27a-T-5 高濃度Ge:Sbの超音波吸収における磁場効果
• 12a-H-4 半導体における電子・正孔によるフォノン散乱
• 30p-N-8 P-Siにおける超音波吸収
• 7p-B-6 p-Ge,p-Siでの超音波減衰・熱伝導・熱パルス伝播
• 30a-PS-15 GaAs/AlGaAsダブルヘテロ構造における光学フォノン : II 遠赤外吸収
• 30a-PS-14 GaAs/AlGaAs ダブルヘテロ構造における光学フォノン : I ラマン散乱
• 5p-PS-9 Ge:Sbにおける音速変化の一軸性圧力依存性II
• 28a-BPS-4 ZnSe中に埋め込まれたGaAs量子箱のフォノン状態II
• 30a-C-3 p-GaSbにおける超音波吸収 II
• 31p-PS-13 n型Geにおける吸収係数の一軸性圧力依存性
• 4a-PS-9 n型Geにおける吸収係数の磁場依存性II
• 27p-PS-155 酸化物超伝導体におけるフォノンスクイズド状態II
• 27p-PS-144 酸化物超伝導体の第一原理的格子力学
• Y系高温超伝導体の格子力学
• 31p-PS-18 酸化物超伝導体の格子力学
• 25p-PS-2 ZnSe中に埋め込まれたGaAs量子箱のフォノン状態
• 25p-PS-15 Ge:Asにおける音速変化の温度依存性
• 30a-C-1 Ge:Sbの超音波吸収における一軸性圧力効果
• 31p-RC-3 高濃度Ge:Sbの超音波吸収に及ぼす一軸性圧力の効果
• 31p-RC-1 P-GaSbにおける超音波吸収
• 27a-H-3 高濃度のSb-doped Geの超音波減衰
• 30a-PS-12 BaPb_Bi_xO_3,Ba_K_xBiO_3のX線散漫散乱パターン
• 11a-PS-4 縮退した半導体における熱伝導度
• 27p-PS-146 Bi_2Sr_2CaCu_2O_y薄膜における低温アニール効果
• AS-4-1 0.93nm波長解像度八イパースペクトラルDatacube生体認証(AS-4.マルチバイオメトリクス技術の研究動向,シンポジウムセッション)
• 7aSG-4 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(2)(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
• 28a-PS-2 ドナーペアの音響的性質III(音波物性・音響ポスターセッション)
• 7aSG-5 GaNでの励起子・励起子分子ダイナミクス(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
• 24aYE-8 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(24aYE 励起子・ポラトリン,領域5(光物性分野))
• 29p-PS-9 n型Geにおける吸収係数の磁場依存性(29pPS 音波物性・音響)
• 28a-PS-3 Ge:Sbにおける音速変化の一軸性圧力依存性(音波物性・音響ポスターセッション)
• 28a-PS-7 BaPb_BixO_3におけるフォノン分散(音波物性・音響ポスターセッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク