2a-R-8 Li_3Nの分子動力学
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1985-09-13
著者
関連論文
- 30aPS-24 2光子吸収制御によるZnO励起子分子生成(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 20aWB-2 ZnO における四光波混合シグナルの温度依存性
- 28pYF-8 ZnO における価電子帯オーダリング
- 28pYF-7 ZnO における四光波混合
- 17pRE-7 GaNでの励起子間相互作用と励起子分子
- 17pRE-6 GaNにおける励起子の相互作用と位相緩和
- 27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
- 7a-YC-12 CuAlSe_2の格子力学
- 29a-N-4 酸化物高温超伝導体の参照物質YBa_2Cu_3O_6の格子力学
- BN、AIN、GaNの弾性定数
- 31a-R-3 酸化物高温超伝導体の格子振動 : 酸素同位体効果
- 31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱
- 27p-PSB-17 テニオライトに包接されたローダミン6Gの配向 : 赤外分光法
- 27p-PSB-12 GaNのブリルアン散乱
- 27p-PSB-6 GaPの格子力学 : 2フォノン状態密度
- 27p-PSB-5 AINの格子力学
- 27p-PSB-4 酸化物高温超伝導体の格子振動 : シェルモデル
- 27p-PSB-3 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態V
- 29p-PSB-11 InGaN/GaN/Sapphireにおけるフォノンポラリトン
- 29p-PSB-10 GaNの格子力学
- 29p-PSB-9 GaNの光学フォノン
- 4p-PSB-10 CuAlS_2、CuAlSe_2の格子力学
- 4p-PSB-9 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノン : ラマン散乱
- 28p-PSA-10 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態IV
- 29p-PSB-6 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における1.2μm厚AlAs層からの2次ラマン散乱
- 29p-PSB-5 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における光学フォノン(ATR法による界面フォノンの観測)
- 29p-PSB-4 酸化物超伝導体 YBa_2Cu_3O_7 のフォノン分散
- 13p-PSB-5 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノンの観測 : ラマン散乱
- 13p-PSB-4 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における光学フォノン : 遠赤外吸収
- 28p-APS-43 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態III
- 30a-PS-13 La_2CuO_4のフォノン分散
- 4p-PS-5 Ge:Sb系における音速変化
- 3a-H-11 p-Siにおける超音波吸収の磁場によるクエンチング
- 半導体における超音波スピン共鳴 : 音波物性シンポジウム
- 13a-K-11 Geにおける超音波・スピン共鳴
- 30a-PS-21 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱III
- 28a-BPS-9 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱II
- 25p-PS-18 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱
- 27a-PS-4 Ge:Sbにおける音速変化の磁場依存性II
- 1a-PS-4 Ge:Sbにおける音速変化の磁場依存性
- 2a-R-8 Li_3Nの分子動力学
- 1a-M-1 拡散のモンテカルロシミュレーション
- 2p-TC-14 AgI_Cl_xの分子動力学
- 3p-KE-10 Ag_3SIの分子動力学
- 12a-S-10 銀カルコゲナイドの分子動力学
- 11a-PS-5 [100]磁場下に於ける、Ge:Pでのヒートパルス散乱
- 27a-T-5 高濃度Ge:Sbの超音波吸収における磁場効果
- 12a-H-4 半導体における電子・正孔によるフォノン散乱
- 30p-N-8 P-Siにおける超音波吸収
- 7p-B-6 p-Ge,p-Siでの超音波減衰・熱伝導・熱パルス伝播
- 30a-PS-15 GaAs/AlGaAsダブルヘテロ構造における光学フォノン : II 遠赤外吸収
- 30a-PS-14 GaAs/AlGaAs ダブルヘテロ構造における光学フォノン : I ラマン散乱
- 5p-PS-9 Ge:Sbにおける音速変化の一軸性圧力依存性II
- 28a-BPS-4 ZnSe中に埋め込まれたGaAs量子箱のフォノン状態II
- 30a-C-3 p-GaSbにおける超音波吸収 II
- 31p-PS-13 n型Geにおける吸収係数の一軸性圧力依存性
- 4a-PS-9 n型Geにおける吸収係数の磁場依存性II
- 27p-PS-155 酸化物超伝導体におけるフォノンスクイズド状態II
- 27p-PS-144 酸化物超伝導体の第一原理的格子力学
- Y系高温超伝導体の格子力学
- 31p-PS-18 酸化物超伝導体の格子力学
- 25p-PS-2 ZnSe中に埋め込まれたGaAs量子箱のフォノン状態
- 25p-PS-15 Ge:Asにおける音速変化の温度依存性
- 30a-C-1 Ge:Sbの超音波吸収における一軸性圧力効果
- 31p-RC-3 高濃度Ge:Sbの超音波吸収に及ぼす一軸性圧力の効果
- 31p-RC-1 P-GaSbにおける超音波吸収
- 27a-H-3 高濃度のSb-doped Geの超音波減衰
- 30a-PS-12 BaPb_Bi_xO_3,Ba_K_xBiO_3のX線散漫散乱パターン
- 11a-PS-4 縮退した半導体における熱伝導度
- 27p-PS-146 Bi_2Sr_2CaCu_2O_y薄膜における低温アニール効果
- 7aSG-4 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(2)(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
- 28a-PS-2 ドナーペアの音響的性質III(音波物性・音響ポスターセッション)
- 7aSG-5 GaNでの励起子・励起子分子ダイナミクス(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
- 24aYE-8 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(24aYE 励起子・ポラトリン,領域5(光物性分野))
- 29p-PS-9 n型Geにおける吸収係数の磁場依存性(29pPS 音波物性・音響)
- 28a-PS-3 Ge:Sbにおける音速変化の一軸性圧力依存性(音波物性・音響ポスターセッション)
- 28a-PS-7 BaPb_BixO_3におけるフォノン分散(音波物性・音響ポスターセッション)