18pTA-4 ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP単一量子細線の低温発光分光(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 吉田 正裕

  東大物性研

• 秋山 英文

  東大物性研

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 伊藤 弘毅

  東北大院理:jst-crest

• 丸山 武男

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 丸山 武男

  金沢大学理工研究域

• 伊藤 弘毅

  東大物性研

• Plumwongrot D.

  CREST(JST)

• 丸山 武男

  CREST(JST)

• 荒井 滋久

  CREST(JST)

• Plumwongrot D.

  Crest(jst):東工大量子ナノセンター

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

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