放射光光電子分光を用いた金属/高誘電率酸化物ゲートスタック構造の深さ方向解析
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-09-10
著者
-
尾嶋 正治
東大院工
-
尾嶋 正治
東大工
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
組頭 広志
Jst-crest:東大院工
-
尾嶋 正治
Jst-crest:東大院工
-
尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
-
組頭 広志
東大院工
-
組頭 広志
東大工
-
豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
-
鎌田 洋之
東京大学大学院工学系研究科
-
組頭 広志
東京大学大学院工学系研究科
-
岩本 邦彦
半導体理工学研究センター
-
助川 孝江
半導体理工学研究センター
-
劉 紫園
半導体理工学研究センター
-
尾嶋 正治
Ntt電子応用研究所
-
尾嶋 正治
東大 大学院工学系研究科
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