スタック型強誘電体キャパシタ集積化技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-06-05
著者
-
石原 数也
シャープ株式会社技術本部
-
大西 茂夫
シャープ株式会社技術本部
-
工藤 淳
シャープ
-
崎山 恵三
シャープ(株)
-
大西 茂夫
シャープ株式会社 技術本部
-
石原 数也
シャープ株式会社 技術本部
-
石原 数也
シャープ(株)
-
大西 茂夫
シャープ(株)
-
大森 清薫
シャープ(株)
-
木下 多賀夫
シャープ(株)
-
工藤 淳
シャープ(株)
関連論文
- 二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
- SBT膜を用いた1T1Cスタック型強誘電体メモリセル集積化技術
- SBT膜を用いた1T1Cスタック型強誘電体メモリセル集積化技術
- CMPとアイススクラバ洗浄を組み合わせた多層配線技術
- スタック型強誘電体キャパシタ集積化技術