SBT膜を用いた1T1Cスタック型強誘電体メモリセル集積化技術

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概要

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• 高耐熱性電極技術を用いた1T1C型スタック型メモリセルを開発した。下部電極には耐熱性を有するIr / TaSiN積層膜を用いた。スタック型キャパシタの下部電極のコンタクト抵抗は0.5μm径のポリシリコンプラグ上で1個当たり約100μΩ得られており、700℃酸素雰囲気下の熱処理に対しても非常に安定であった。SBT膜を用いたスタック型キャパシタの残留分極値(2Pr)は、キャパシタ上部電極サイズ1.2μm×1.2μmにおいて14μC / cm^2得られた。これらの技術を集積化しSBT膜を用いたスタック型キャパシタで不揮発性メモリ動作を確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-03-09

著者

• 石原 数也

  シャープ株式会社技術本部

• 山崎 信夫

  シャープ株式会社技術本部

• 山崎 信夫

  シャープ株式会社 技術本部

• 奥藤 章

  シャープ株式会社 技術本部 エコロジー技術開発センター

• 浦島 仁

  シャープ株式会社 技術本部 エコロジー技術開発センター

• 長田 昌也

  シャープ株式会社 技術本部 エコロジー技術開発センター

• 長田 昌也

  ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部

• 石原 数也

  シャープ株式会社 技術本部

• 長田 昌也

  ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部

• 浦島 仁

  シャープ株式会社 技術本部エコロジー技術開発センター

• 奥藤 章

  シャープ株式会社 技術本部エコロジー技術開発センター

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