27aRB-1 In濃度に依存したIndium-zinc oxide透明導電薄膜の構造解析(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 2009-03-03

著者

• 渡辺 和人

  都立産技高専

• 渡辺 和人

  東京都立工業高等専門学校

• 倉持 幸治

  東理大理

• 橋本 巖

  東理大理

• 高松 広輝

  東理大理

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